高通宣布骁龙835处理器：采用三星10nm工艺，支持QC4快充

IT之家讯 11月17日消息，高通刚刚公布了下一代骁龙处理器——骁龙835，高通骁龙835芯片将在2017年初发布，因此支持最新的Quick Charge 4快速充电技术，基于三星10nm制造工艺打造。高通骁龙835处理器将取代骁龙821/820，成为高通公司顶级移动处理器。

不过目前高通并未公布骁龙835的更多信息，但表示10nm工艺将会带来更好的性能领先，提升功率效率，作为对比高通骁龙820基于14nm制造工艺打造。

IT之家援引消息，三星表示10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%，在高通骁龙835上具体数值还需要后续才能知晓。但高通骁龙835芯片面积将变得更小是毋庸置疑的。

三星Galaxy S8有望成为首款搭载高通骁龙835处理器的智能手机设备，LG和HTC也将推出搭载骁龙835的智能手机。

相关阅读：

《高通骁龙835支持QC4.0快充：充电5分钟，续航5小时》

广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，IT之家所有文章均包含本声明。