中芯国际爆发高层内讧，外患之下再添内忧

在美国打压中国芯片产业之际，国内芯片制造领军企业中芯国际近日却曝出了高层内讧。

12 月 15 日，中芯国际宣布委任蒋尚义为副董事长，随后网络上流传中芯国际联合 CEO 梁孟松在大会现场提出辞职。

一封流传的辞职信中，梁孟松表示是在 12 月 9 日才被告知蒋尚义将出任公司副董事长一职。“对此，我感到十分错愕与不解，因为我事前对此事毫无所悉。我深深的感到已经不再被尊重与不被信任 。”梁孟松说，在公司董事会和股东会通过蒋尚义提名任职之后，自己将正式提出辞呈。

据悉，在中芯国际董事会表决通过关于委任蒋尚义副董事长的议案中，梁孟松投了弃权票。

中芯国际今日回应称，目前正积极与梁孟松核实其真实辞任意愿。但官方并未披露该事件的具体内情，传闻进一步在网络上发酵。

无论是梁孟松还是蒋尚义，两位都可谓是国内半导体行业的领军人物。

梁孟松曾就职于台积电和三星电子，2017 年正式加入中芯国际。根据梁孟松在信中的自述，在其加入中芯国际的三年中，带领团队完成了从 28nm 到 7nm，共五个世代的技术开发。这是一般公司需要花十年以上的时间才能达成的任务。

而蒋尚义也曾在台积电任职，一度担任共同首席运营官。后来他出任武汉弘芯 CEO，但弘芯项目烂尾后，蒋尚义也选择离开。

对于梁孟松就蒋尚义担任中芯国际副董事长激烈反弹一事，外界有多种猜测和传闻。一种说法认为两人在台积电共事期间就有不和，还有说法认为两人的技术路线不同。

在中芯国际任职期间，梁孟松主导中芯国际的先进制程技术的研发。根据其在辞职信中所说，目前中芯国际 28nm、14nm、12nm 及 n+1 等技术均已进入规模量产，7nm 技术的开发也已经完成，明年四月就可以马上进入风险量产。5nm 和 3nm 的最关键、也是最艰巨的 8 大项技术也已经有序展开，只待 EUV 光刻机的到来，就可以进入全面开发阶段。

2018 年 5 月，中芯国际曾向荷兰 ASML 以 1.5 亿美元订购了一台最新型的 EUV 光刻机，原计划在 2019 年初交付。不过由于美国的阻扰，该交易至今仍未完成。

今年 10 月，美国商务部工业与安全局 （BIS）向部分供应商发出信函，对于向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料会受到美国出口管制规定的进一步限制，须事前申请出口许可证后，才能向中芯国际继续供货。

在美国的打压之下，中芯国际在先进制程方面的步伐受到极大限制。

蒋尚义则是另外一种技术路线。他在接受媒体采访时表示，自己非常热衷先进封装技术和小芯片，中芯国际的先进制程技术已经做到 14nm、N+1、N+2，在中芯国际实现先进封装和系统整合的梦想，可以比在弘芯快至少 4~5 年。

先进制程与先进封装的区别是，先进制程更加追求通过制程工艺的快速进步来提升芯片效能，而先进封装则是在一定的成熟制程工艺基础上，通过集成系统来提升芯片之间的连接和性能。

实际上，对于中芯国际而言，这两种技术人才都不可多得。梁孟松辞职的真实原因，以及中芯国际管理层如何平衡处理该事件，仍有待官方进一步披露。

受该事件影响，中芯国际今日 A 股开盘大跌，截至收盘股价跌 5.53%，报 55.20 元；其在港股股价收盘也跌近 5%。

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