韩媒称三星未定 2nm 投资计划,赶超台积电难度大

据韩国媒体 Businesskorea 报道,三星在芯片先进制程方面赶超台积电的难度可能增大。台积电已计划明年开始生产 2nm 芯片,而三星目前的规划是明年大规模量产 3nm GAA 芯片,其 2nm 芯片生产计划尚未提上日程。

三星虽然已经开发出了 2nm 芯片,但尚未敲定投资计划。三星曾透露:“我们计划明年制造 3nm GAA 产品,并在 2023 年制造更先进的 3nm GAA 产品。”

今年 5 月,该公司曾宣布将投资 170 亿美元(约 1098 亿人民币)在美国建造能生产 3nm 的芯片代工厂,但目前三星还在考虑其工厂的具体选址。

对比来看,中国台湾环境影响评估审查委员会在本周三批准了台积电 2nm 芯片新厂建设。该新厂预计占地 50 英亩(约 20 公顷),将建在新竹工业园区,计划在 2024 年实现商业化量产。除了在本地建新厂,台积电也在考虑明年在美国亚利桑那州建设芯片厂,来生产 3nm 和 4nm 芯片。

一位业内人士称:“台积电在 5nm 和 7nm 芯片工艺技术商业化方面已经超过了三星,随着台积电生产更多先进制程芯片和提高资本支出,这一差距正在扩大。台积电还在台湾建设测试生产设施,以确保一定水平的 2nm 良率。”

英特尔在本周二宣布将分别在 2024 年和 2025 年达到 Intel 20A 和 Intel 18A 节点。该公司在 3 月曾宣布重新进入全球芯片代工市场,其精密加工工艺技术当前在 7nm 阶段。

韩媒 Businesskorea 认为,三星正陷入夹在台积电和英特尔之间的两难困境。

结语:芯片代工持续先进制程之争

作为芯片代工厂的龙头,台积电和三星一直在持续竞争,从 2019 年、2020 年先后快速采用 EUV 光刻技术来突破 7nm 工艺,在 2020 年均实现量产 5nm 芯片,然后都开始计划量产 3nm 芯片。

为了保持其市场优势和市场占有率,芯片代工厂一边忙着扩增成熟制程工艺的产能,一边忙着推动先进制程工艺升级和投产,竞争激烈。

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