台积电董事长称美光的存储技术已超过三星

2021-12-11 23:32爱集微 (轶群)

日前,台积电董事长刘德音在出席活动时表示,美光的存储技术已经超越三星,引来台积电与美光加深合作的猜测。

目前,在 NAND Flash 领域,美光确有后来居上的态势,美光的 176 层堆叠 3D NAND Flash 开始大量生产,但三星目前仍停留在 128 层。

在 DRAM 技术方面,美光原落后三星,但如今追赶速度加快。今年第一季已领先三星、SK 海力士导入 1α 制程量产,更预计抢先在 2022 年推进到 1β 制程。台媒表示,美光与三星的存储龙头之争,未来几年将很有看头。

在代工方面,三星一直是台积电的最大竞争对手,但在存储方面,三星拥有优势,以至于一些业内人士认为,如果三星能够在代工过程中充分整合存储优势,将会在与台积电的对抗中保持竞争力。

正是基于此,台积电似乎正在谋求同美光的深度合作。

报道分析指出,11 月初刚从美光副总裁位置卸任的徐国晋,闪电加盟台积电,负责先进封装测试研发,未来将推动应用处理器与存储走向 3D 堆叠的异构整合。如此高阶层的主管进行交流,显示台积电与美光的合作将进入一个新时代,而美光也将成为台积电大同盟中一个重要的伙伴。

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