目标不止 2025，英特尔公布“赶超三星台积电”战略：3D 堆叠晶体管

 北京时间 12 月 13 日早间消息，据报道，美国电脑芯片巨头英特尔旗下的“组件研究集团”对外公布了多项新技术，据称可以在未来十年帮助英特尔芯片不断缩小尺寸、提升性能，其中的一些技术准备将不同芯片进行堆叠处理。

在美国旧金山举办的一次国际半导体会议上，该团队通过多篇论文公布了上述新技术。

过去几年，在制造更小、更快速的芯片方面（所谓“X 纳米芯片”），英特尔输给了中国台湾的台积电和韩国三星电子两大对手；如今，英特尔正在千方百计重新赢得芯片制造领域的领导者地位。

此前，帕特・基辛格（Pat Gelsinger）担任英特尔首席执行官之后，推出一系列在 2025 年重新赢得优势地位的商业发展规划。而这一次该公司技术团队推出了一系列“技术性武器”，帮助英特尔在 2025 年后一直保持技术优势。

据报道，传统的芯片制造都是在二维方向上，在特定面积内整合更多晶体管。英特尔技术团队提出了一个新的技术突破方向，那就是在三维方向上堆叠“小芯片”（或“芯片瓦”），从而在单位体积内整合更强大的晶体管和计算能力。该公司展示的技术显示，可以在相互叠加的小芯片上实现十倍于传统数量的通信连接管道，这也意味着未来小芯片一个叠加在另外一个“身上”的空间很广阔。

半导体上最重要、最基本的组件是晶体管，它们相当于一个开关，代表数字逻辑体系的“1”或“0”状态。英特尔在这次大会上公布的一项可能是最重要的研究成果，正好展示了一种相互堆叠晶体管的新技术。

英特尔技术团队表示，通过晶体管堆叠技术，可以使得在单位尺寸内整合的晶体管数量增长三成到五成。单位面积的晶体管数量越多，半导体的性能也就越强大，这正是全球半导体行业在过去 50 多年时间里不断发展的最重要原因和规律。

在接受新闻界采访时，英特尔“组件研究集团”总监兼高级工程师保罗・费舍尔（Paul Fischer）表示，通过把半导体零组件一个堆叠在另外一个身上，英特尔技术团队可节省芯片空间，“我们正减少芯片内部连接通道的长度，从而节省能耗，这样不仅提高芯片成本效益，更能增强芯片性能。”

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