丰田合成成功研制出 6 英寸氮化镓 GaN 衬底：打破尺寸纪录，可降低器件生产成本

IT之家 3 月 17 日消息，据 businesswire 报道，丰田合成 Toyoda Gosei 与大阪大学合作，成功研制出了 6 英寸的氮化镓 GaN 衬底。

GaN 功率器件广泛用于工业机械、汽车、家用电子等领域，随着全球碳中和的目标，GaN 功率器件作为减少电力损失的一种手段而被寄予厚望，因此需要更高质量和更大直径的 GaN 衬底，以实现更高的生产效率（降低成本）。

在日本环境省牵头的一个项目中，丰田合成和大阪大学采用了一种在钠和镓的液态金属中生长 GaN 晶体的方法，来制造高质量的 GaN 衬底，成功制造出了 6 英寸的衬底，为目前世界最大的衬底。

IT之家了解到，丰田合成接下来将对 6 英寸衬底的批量生产进行质量评估，继续提高质量，并继续增加直径尺寸，有望超过 6 英寸。

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