北方华创正式发布 CCP 介质刻蚀机，实现刻蚀工艺全覆盖
IT之家 8 月 15 日消息，据北方华创官方宣布，今天，北方华创正式发布 CCP 介质刻蚀机，目前已在 5 家客户完成验证并实现量产。此前北方华创已推出 ICP 刻蚀机、金属刻蚀机等，实现刻蚀工艺全覆盖。
北方华创 NMC508 RIE 介质刻蚀机采用 8 吋设备二十年工艺基础；专为 8 吋工艺设计的腔室与硬件，满足定制化需求；6&8 吋兼容，可实现快速切换；目前，已在 5 家客户完成验证并实现量产；支持 18 年成熟的软件系统应用，以及稳定的备件系统，配备可靠供应链；搭载全套服务团队，可提供包括工艺开发、零部件供应、软件升级、质保服务等在内的全方位保障。
据官方介绍，NMC508 RIE 介质刻蚀机在前道工艺上，具有刻蚀形貌好、选择比高、工艺性能优越的特点；在后道工艺，可实现对金属副产物的有效控制，维护周期长；采用多频射频技术，具有刻蚀速率高、工艺均匀性佳、工艺窗口大等特点，可更好满足深孔小 CD 的应用发展趋势；在晶圆传输平台系统上，采用自主研发的通用平台，拥有成熟的软件系统，并具备晶圆自动定心 (AWC) 功能，满足晶圆稳定传输作业的需求；在腔室设计上，采用独特的防等离子打火结构和精确的电极控温设计，具备温度分区控制功能，配备终点检测系统，满足关键刻蚀工艺的均一性、终点抓取等需求，且颗粒表现佳；耗材寿命长，维护便捷，可满足您拥有成本 (COO) 和消耗成本 (COC) 双低的需求。作为 CCP 刻蚀机，具备在介质刻蚀上的高选择比、高刻蚀速率等优势，适用于介质类氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等膜层材料；可为客户提供包括逻辑器件、功率器件、化合物半导体等在内的多种特色工艺；主要应用领域包括但不限于：Logic, BCD, Power (Si / SiC / GaN), MEMS；
NMC508 RIE 介质刻蚀机的推出，完成了该领域国产设备工艺的最后一块拼图，实现了北方华创在 8 吋刻蚀设备上的整体解决方案，包括硅刻蚀、深硅刻蚀、金属刻蚀、化合物半导体刻蚀 (SiC, GaN, GaAs, InP, LiNbO3, LiTaO3 等）等工艺设备。
北方华创还可提供包括 PVD、CVD、ALD、炉管、清洗等在内的 8 吋设备，提供整体解决方案。
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