三星目标 5 年内超越台积电，承认 4nm 工艺目前落后两年

IT之家 5 月 4 日消息，据 Hankyung 报道，三星半导体今天早些时候在 KAIST（韩国科学技术院）举行了一场演讲，三星设备解决方案部门总裁 Kye Hyun Kyung 提出了三星半导体将赶上竞争对手台积电的未来愿景。

Kye Hyun Kyung 承认三星的代工技术“落后于台积电”。他解释说，三星的 4nm 技术比台积电落后大约两年，而其 3nm 工艺则比台积电落后大约一年。

不过，Kye Hyun Kyung 也表示，但等到 2nm 就会发生变化，并大胆预测：“我们可以在五年内超越台积电。”

三星可能在未来五年内跑赢台积电的想法，源于三星打算从 3nm 制造工艺开始使用 Gate All Around（GAA）技术。相比之下，台积电在达到 200 万产量之前不会使用 GAA。

GAA 是一种生产工艺，可以使三星生产出比台积电目前使用的工艺更小（45%）、能耗更低（50%）的芯片。Kye Hyun Kyung 称“客户对三星电子的 3nm GAA 工艺的反映很好”。

Kye Hyun Kyung 还表示，三星预计存储半导体在开发 AI 服务器方面将变得更加重要，并超过英伟达 GPU，并称三星将“确保以存储器半导体为中心的超级计算机能够在 2028 年问世”。

据IT之家此前报道，近期三星称，其 4nm 芯片制程良率已改善、接近 5nm 的水准，下一代 4nm 制程将提供更高的良率。

业内消息人士透露，美国芯片巨头 AMD 公司已经选择了三星电子作为其 4nm 处理器的合作伙伴。此外，谷歌公司也将委托三星电子生产其 Pixel 8 智能手机的 Tensor 3 芯片，采用三星电子第三代 4nm 工艺节点。

广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，IT之家所有文章均包含本声明。