中芯国际集成电路测试结构相关专利公布

IT之家 6 月 4 日消息，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司申请的“集成电路测试结构、其形成方法及其测试方法”专利公布。

专利摘要显示：

一种集成电路测试结构、其形成方法及其测试方法，其中，集成电路测试结构包括：衬底；位于衬底上的第一测试结构，第一测试结构包括第一测试线以及与第一测试线两端分别连接的第一衬垫组和第二衬垫组；位于衬底上的第二测试结构，第二测试结构包括第二测试线以及与第二测试线连接的第三衬垫，所述第一测试线与第二测试线之间电隔离，所述第一测试线与第二测试线构成电容结构。所述集成电路测试结构能够利用同一结构测试电阻和电容，提升了测得的电阻和电容之间相关性的准确度。

IT之家从官方获取到，中芯国际主要提供 0.35 微米到 FinFET 不同技术节点的晶圆代工与技术服务。2023 年第一季度营业收入 102.09 亿元，同比减少 13.9%； 归母净利润 15.91 亿元，同比下降 44%。

目前，中芯深圳已进入量产，中芯京城预计下半年进入量产，中芯东方预计年底通线，中芯西青还在建设中。

广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，IT之家所有文章均包含本声明。