美光 HBM3 Gen 2 内存现已向客户出样，带宽可达 1.2 TB / s

IT之家 7 月 26 日消息，据 Tom's Hardware 报道，美光今日宣布其 HBM3 Gen 2 内存正在向客户提供样品。

美光称其 HBM3 Gen 2 内存是世界上速度最快的，具有 1.2 TB / s 的聚合带宽，8 高堆叠容量为 24GB。未来还有 12 高堆叠版本，容量可达 36GB。美光称其新内存是最节能的，与该公司上一代 HBM2E 相比，每瓦性能是上代的 2.5 倍。

据报道，美光是第一个提供第二代 HBM3 内存样品的公司，超过了 SK 海力士和三星等竞争对手。

命名方面，美光的 HMB3 Gen 2 内存没有按照美光之前的命名约定命名为“HBM3E”。美光表示，新的“Gen2”命名代表性能、容量和能效方面的代际飞跃。

美光公布了最新的内存路线图，图中标注了“HBMNext”内存，推出的时间点为 2026 年左右，容量可达 36-64GB，可提供 2+ TB / s 带宽。

据介绍，美光的全新 HBM3 Gen 2 内存采用八个堆叠芯片（8 高），与其他 8 高 HBM3 内存相比，容量增加了 50%。此外，美光的新型内存也适用于与标准 HBM3 相同的 11mmx11mm 封装，与现有 HBM3 引脚兼容，更换内存也相对容易。

美光 HBM3 Gen 2 内存 8 高堆栈的带宽提高了 50%，每个引脚的传输速度为 9.2 Gbps，1024bit 位宽即可达到 1.2 TB / s 的带宽。

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