三星与应用材料合作，减少 4nm 工艺中 EUV 光刻使用

IT之家 3 月 8 日消息，据韩媒 etnews 近日报道，三星电子正与应用材料合作，以降低其 4nm 工艺中 EUV 光刻的用量。

相比传统 DUV 技术，EUV 光刻可实现更高的图案化精度，但相对应的，也更昂贵。

而对于尖端半导体，晶圆厂越来越多地使用 EUV 双重图案化来实现小于单次 EUV 光刻分辨率限制的芯片特征，以优化芯片面积，而这意味着整体成本的成倍增加。

据报道，三星正在 4nm 制程上评估应用材料的 Centura Sculpta 系统，以缩短工艺流程，降低成本。

该系统于去年初发布，实现了一项名为图案塑形的新功能。

图案塑形可以精确定向修改晶圆特征图形的尺寸，增强 EUV 图案化性能，减少最关键图层的图案化次数，进而实现功率、性能、面积、成本和上市时间的改进。

应用材料宣称，Centura Sculpta 系统可在每片晶圆上节约 50 美元（IT之家备注：当前约 360 元人民币）的制造成本，并减少能源和水资源的消耗以及二氧化碳的排放。

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