三星否认将 MR-MUF 堆叠方案引入 HBM 生产,称现有 TC-NCF 方案效果良好

2024-03-14 14:32IT之家 - 溯波(实习)
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IT之家 3 月 14 日消息,据韩媒 NEWSIS 报道,三星电子否认了近日路透社的说法,表示并未考虑使用 MR-RUF 方式生产 HBM 内存。

HBM 由多层 DRAM 堆叠而成,目前连接各层 DRAM 的键合工艺主要有两个流派:SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。

MR-RUF 即批量回流模制底部填充,通过回流焊一次性粘合,然后同时用模塑料填充间隙;而 TC-NCF 中文称热压非导电薄膜,是一种在各 DRAM 层间填充非导电薄膜(NCF)的热压键合方式。

随着 HBM 中 DRAM 层的增加,DRAM 晶圆也需要随之变薄,而整体压力却会进一步增大,因此晶圆翘曲会加剧,SK 海力士的 MR-RUF 路线被部分人士认为能更好解决翘曲问题。

路透社之前援引分析师的话说,三星的 HBM3 内存芯片良率仅有 10~20%,明显低于 SK 海力士的 60~70%,因此三星求变,正考虑向日本企业购买 MR-RUF 所用模塑料。

三星电子表示路透社报道不正确,并回应称:“我们正在利用 NCF 方法制定最佳解决方案。”

业内人士认为,三星在 NCF 材料的研发和扩产上进行了大规模投资,因此目前在 HBM 上无法转向 MR-RUF。据IT之家此前报道,三星将在 3DS RDIMM 上进行 MR-RUF 的应用尝试

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