意法半导体宣布联手三星推出 18nm FD-SOI 工艺，集成嵌入式相变存储器

IT之家 3 月 21 日消息，意法半导体（STMicroelectronics）宣布与三星联合推出集成嵌入式相变存储器（ePCM）的 18nm FD-SOI 工艺。

IT之家注：FD-SOI 即全耗尽型绝缘体上硅，是一种平面半导体工艺技术，可以较简单的制造步骤实现优秀的漏电流控制。

意法半导体表示，相较于其现在使用的 40nm eNVM 技术，采用 ePCM 的 18nm FD-SOI 工艺大幅提升了品质因素：其在能效上提升了 50%、数字电力密度上提升至 3 倍、可容纳更大的片上存储器、噪声系数方面有 3dB 改善。

该工艺的工作电源电压是 3V ，可为包括电源管理、复位系统等在内的模拟功能供电，是 20nm 以下制程中唯一支持此功能的技术。

同时，新的 18nm FD-SOI 工艺在耐高温工作、辐射硬化等方面也有出色表现，可用于对可靠性要求苛刻的工业应用。

意法半导体首款基于该制程的 STM32 MCU 将于下半年开始向选定的客户出样，并计划于 2025 年下半年量产。

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