三星目标 2028 年推出“移动 HBM”LPW 内存：I/O 提速 166%，针对端侧 AI 优化

IT之家 2 月 19 日消息，据韩媒 SEDaily 现场采访报道，三星电子 DS 部门首席技术官 Song Jai-hyuk 美国加州旧金山当地时间 17 日在 IEEE ISSCC 2025 国际固态电路会议全体会议上表示，首款针对设备端 AI 应用优化的 LPW DRAM 内存产品将于 2028 年发布。

LPW 是 LPDDR Wide-IO 的简称，顾名思义其是一种类似 LPDDR 但具有更高 I/O 位宽的移动端内存产品，其在引入更多 I/O 通道的同时降低每个通道的数据传输速率，以实现高带宽低功耗的目标。LPW DRAM 的这一设计思路与用于 AI GPU 的 HBM 内存相近，因此其也被誉为“移动 HBM”。

此外，LPW DRAM 在结构上改变了多层 DRAM 堆栈的组合方式：其将采用结合 RDL（IT之家注：重布线层）的垂直引线键合取代目前的传统引线键合，实现更小的封装尺寸和更优秀的能效表现。

三星电子宣称，LPW DRAM 的带宽可达 200GB/s 以上，较现有的 LPDDR5x 提升 166%；同时其功耗降至 1.9 pJ / bit，比 LPDDR5x 低 54%。

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