目前三星并未公布新工艺的具体数字,只是介绍新工艺依然使用了相对成熟的氟化氩沉浸式光刻工艺,而未启用尚在优化改进中的EUV极紫外光刻。
据介绍,新的1xnm DDR4内存颗粒单颗容量8Gb(1GB),频率高达3200MHz,单条容量最大可做到128GB,该产品主要面向PC、主流服务器、大型企业网络、高性能计算系统等市场。今年晚些时间,三星还会针对手机平板等领域推出新工艺生产的移动用DRAM内存颗粒。
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