Tesla V100采用台积电12nm工艺制程,815平方毫米面积,共有210亿颗晶体管,15Tflops的单精度浮点性能,7.5Tflops的双精度浮点性能,拥有5120个CUDA,16MB缓存,采用的是16GB HBM2显存,显存带宽为900GB/S。
不出意外的话,未来Volta架构的Geforce显卡规格可以类比这个Tesla V100计算卡。
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