随着现在手机、平板等大储存需求的日益增多，相关的芯片生产厂商，也在升级自身的产品线，比如Western Digital(西部数据)今天推出了新一代iNAND嵌入式闪存芯片产品，分别支持UFS和eMMC两种标准类型，均基于SanDisk的64层3D堆叠技术，容量为256GB。
单从性价比方面考虑，iNAND 7550支持eMMC5.1标准，连续写入速度260MB/s，随机读取20K、写入15K。这个表现力中规中矩。
为了满足未来发展的5G网络时代需求，据详细数据显示，iNAND 8521支持UFS2.1，第五代智能SLC技术(小容量SLC做缓存)，连续写入速度比当下的iNAND 7232(eMMC 5.1)提升了1倍(600MB/s)，随机读取更是快了10倍。
大储存是未来的发展趋势，随着更多厂商生产大储存芯片，说不定手机厂商未来采购价也会呈现下跌趋势，消费者也会获得一些利益。
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