在此之前,三星20nm级别的16Gb LPDDR4X能够承受-40°C至105°C的温度,而最新的10nm工艺内存符合Automotive Grade 1标准,将温度门槛提升至125°C。新的内存颗粒即使在温度高达125°C的环境中,其数据处理速度也达到每秒4,266(Mbps),比基于20nm工艺技术的8Gb LPDDR4 DRAM提高了14%,并且新存储器在传输效率上也增加了30%。
三星表示,未来10nm级LPDDR4X DRAM将应用于12Gb、16Gb、24Gb和32Gb容量的不同版本。
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