英特尔非挥发性记录体技术开发副总裁RV Giridhar表示:「1Tb 4位/单元NAND的商业化是NVM历史上的一个重要里程碑,并且通过大量的技术和设计创新使我们的浮栅3D NAND技术的性能得到进一步提升,迁移到4bits / cell可为数据中心和客户端储存的密度和成本带到另一个的新操作点。“
Intel及美光曾表示第三代3D NAND技术的开发将于2018年年底或2019年初交付,两家公司已经同意在这一技术节点之后,双方将独立开发3D NAND,以便更好地为各自的业务需求优化技术和产品,预计Intel及Mircon 96层3D NAND将可在2019下半年实现量产。
众所周知,固态硬盘相比机械硬盘,无论在速度、功耗还是噪音控制方面都有不小的优势,相信在大容量廉价固态推出后,机械硬盘将会在普通消费领域逐渐消失。
广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,IT之家所有文章均包含本声明。