IT之家 7 月 27 日消息 今日，英特尔公布了其有史以来最详细的制程技术路线图之一，展示了从现在到 2025 年乃至未来，驱动新产品开发的技术。
目前，英特尔官方公布资料介绍了实现此路线图技术的关键细节，并解释了新的节点命名方法背后的依据。
以下是英特尔制程技术路线图、实现每个节点的技术以及新节点命名的详细信息：
Intel 7（此前称之为 10 纳米 Enhanced SuperFin）
通过 FinFET 晶体管优化，每瓦性能比英特尔 10 纳米 SuperFin 提升约 10% - 15%，优化方面包括更高应变性能、更低电阻的材料、新型高密度蚀刻技术、流线型结构，以及更高的金属堆栈实现布线优化。Intel 7 将在这些产品中亮相：于 2021 年推出的面向客户端的 Alder Lake，以及预计将于 2022 年第一季度投产的面向数据中心的 Sapphire Rapids。
Intel 4（此前称之为 Intel 7 纳米）
与 Intel 7 相比，Intel 4 的每瓦性能提高了约 20% ，它是首个完全采用 EUV 光刻技术的英特尔 FinFET 节点，EUV 采用高度复杂的透镜和反射镜光学系统，将 13.5 纳米波长的光对焦，从而在硅片上刻印极微小的图样。相较于之前使用波长为 193 纳米的光源的技术，这是巨大的进步。Intel 4 将于 2022 年下半年投产，2023 年出货，产品包括面向客户端的 Meteor Lake 和面向数据中心的 Granite Rapids。
Intel 3
Intel 3 将继续获益于 FinFET，较之 Intel 4，Intel 3 将在每瓦性能上实现约 18% 的提升。这是一个比通常的标准全节点改进水平更高的晶体管性能提升。Intel 3 实现了更高密度、更高性能的库；提高了内在驱动电流；通过减少通孔电阻，优化了互连金属堆栈；与 Intel 4 相比，Intel 3 在更多工序中增加了 EUV 的使用。Intel 3 将于 2023 年下半年开始生产相关产品。
Intel 20A
PowerVia 和 RibbonFET 这两项突破性技术开启了埃米时代。PowerVia 是英特尔独有、业界首个背面电能传输网络，它消除晶圆正面的供电布线需求，优化信号布线，同时减少下垂和降低干扰。RibbonFET 是英特尔研发的 Gate All Around 晶体管，是公司自 2011 年率先推出 FinFET 以来的首个全新晶体管架构，提供更快的晶体管开关速度，同时以更小的占用空间实现与多鳍结构相同的驱动电流。Intel 20A 预计将在 2024 年推出。
英特尔公司 CEO 帕特・基辛格表示：“摩尔定律仍在持续生效。对于未来十年走向超越‘1 纳米’节点的创新，英特尔有着一条清晰的路径。我想说，在穷尽元素周期表之前，摩尔定律都不会失效，英特尔将持续利用硅的神奇力量不断推进创新。”
数十年来，制程工艺“节点”的名称与晶体管的栅极长度相对应。虽然业界多年前不再遵守这种命名法，但英特尔一直沿用这种历史模式，即使用反映尺寸单位（如纳米）的递减数字来为节点命名。
如今，整个行业使用着各不相同的制程节点命名和编号方案，这些多样的方案既不再指代任何具体的度量方法，也无法全面展现如何实现能效和性能的最佳平衡。
在披露制程工艺路线图时，英特尔引入了基于关键技术参数 —— 包括性能、功耗和面积等的新命名体系。从上一个节点到下一个节点命名的数字递减，反映了对这些关键参数改进的整体评估。
随着行业越来越接近“1 纳米”节点，英特尔改变命名方式，以更好地反映全新的创新时代。具体而言，在 Intel 3 之后的下一个节点将被命名为 Intel 20A，这一命名反映了向新时代的过渡，即工程师在原子水平上制造器件和材料的时代 —— 半导体的埃米时代。
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