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京东方氧化物半导体显示重要突破!展示 27 英寸 FHD 500Hz + 显示屏

2022-01-28 22:46IT之家(潇公子)63评

IT之家 1 月 28 日消息,据京东方宣布,已在氧化物半导体显示技术领域取得重要突破,攻克了铜(Cu)易扩散、易氧化和易钻刻等业界难题,在业内率先实现铜互连堆叠结构的量产,及高刷新率、高分辨率、低功耗氧化物显示技术集成,打破了国外垄断,在行业内持续推出低功耗、超窄边、500Hz + 电竞显示屏、超大尺寸 8K Oxide 120Hz、可变频刷新率显示等一系列高端技术和产品。同时在高迁移率 30+cm2/Vs 氧化物技术研发方面也有很大突破,为后续高端产品的性能提升奠定了技术基础。

▲ 京东方 13.3 英寸氧化物 Full In Cell UHD 超窄边框显示屏

氧化物半导体显示技术具备迁移率高、关态电流低、制程工艺简单、可大尺寸化等优点,能够满足未来产品高品质提升和降低能耗的双重需求。然而,在氧化物技术产业化应用上,传统的氧化物薄膜微结构在偏压应力、光照、大电流下器件性能衰减等不稳定性问题,以及铜工艺与氧化物工艺匹配问题,是亟待半导体显示业界解决的普遍难题。

京东方研发出铜扩散阻挡技术,提出独有的氮氧平衡理论、界面修复理论,同时产学研联合,在材料、器件结构和原理上均实现了突破,解决了氧化物半导体显示技术的量产难题,在国内率先实现量产。同时集成栅驱动电路嵌入阵列基板、触控驱动的集成化技术、高透过率的薄膜光学模型等,既实现了产品性能提升,又实现了从传统非晶硅 TFT 向氧化物导体显示的技术升级。

京东方新型氧化物半导体显示技术的突破主要体现四个方面:

01 材料及器件

京东方通过设计独有的铜互连叠层布线氧化物新型堆叠结构,攻克了 Cu 易扩散、易氧化和易钻刻等业界难题。掌握了自主高量产性的 Cu 缓冲层技术,在业内率先实现铜互连堆叠结构的氧化物量产,并在京东方合肥、重庆、南京、成都等六条量产线实现规模化量产。

02 独创性理论

京东方率先提出氮氧平衡理论和界面修复理论,实现了氧化物特性和良率可控。通过氧化物器件中的氮氧缺陷(DNO)控制和有源层界面刻蚀修复技术,解决了由于沟道界面氧空位(Vo)缺陷和掺杂缺陷引起的 Vth 负偏问题,亮点不良发生率大幅降低。

03 显示性能

京东方提出了栅极驱动电路集成模型,首次使用直流去噪模式,功耗降低 15% ,信赖性提升 400%,并引入整体复位信号,解决了 GOA 末行失效问题。在量产产品中首次提出并应用 TFT 散热设计,GOA 寿命提升一倍以上,实现了全尺寸氧化物产品覆盖。

04 功能集成

设计高透叠层模型和高透动态补偿柱状隔垫物方案、开发源极驱动信号多路转化技术(MUX)、氧化物触控集成(Oxide Full In Cell)技术和智能同步驱动(Smart Sync Driving)充电补偿方案,实现了高刷新率、高分辨率氧化物显示技术集成,在业内率先实现了 110 英寸 8K 120Hz 氧化物 GOA 量产。

▲ 京东方 110 英寸 Oxide 8K 120Hz 显示屏

京东方在半导体氧化物显示技术在量产产品形态上的分布,从手机产品到超大的 110 英寸的电视产品,从 10 Hz 的低频驱动产品到 500Hz + 的高频驱动产品,从非触屏到集成度更高的 Full In Cell 触屏技术,基本实现了主流市场产品的全覆盖。

▲ 京东方 27 英寸氧化物 FHD 500Hz + 显示屏

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