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分析师:DRAM 内存、3D NAND 闪存布局百家争鸣,长鑫、长江存储进展迅速

2022-07-06 15:40爱集微(隐德来希)59评

7 月 5 日,知名半导体分析机构 TechInsights 举办了线上“存储半导体进展与融合挑战:DRAM 和 NAND”(Memory Process and Integration Challenges: DRAM & NAND)研讨会。

在存储芯片领域有着 30 多年从业经历的高级技术分析师 Jeongdong Choe 博士在会上分享了 DRAM 和 NAND 前沿技术的发展以及未来可能遭遇的挑战。

日前,三星在 128 层单堆栈产品的容量上(从 256Gb 到 256Gb)实现突破。对此,Jeongdong Choe 在研讨会上表示,目前全球主要玩家在 3D NAND 设计上都有不同程度的创新,比如三星的 COP 架构,SK 海力士的 PUC 架构,美光的 CuA 架构等等。

三星 128 层单堆栈 3D NAND 的核心竞争力在于单堆栈,不同于英特尔等竞争对手的多 deck 集成,可以在深宽比(high aspect ration)和 deck 与 deck 的对齐问题上做到最大限度的优化,在量产 3D NAND 闪存产品中实现了世界上最小的单元间距,显示了单堆栈技术仍有巨大的发展潜力。

DRAM 市场的几大参与者包括了三星、美光、SK 海力士,另外再加上南亚科技(Nanya)、力积电(PSMC)和长鑫存储(CXMT)等。

▲ 来源:TechInsights

三星、美光与 SK 海力士面向 DDR4、DDR5 和 LPDDR5 应用,已经以 15nm 和 14nm 级别的单元设计规则(D / R)发布了 D1z 和 D1α 节点的产品。

美光和 SK 海力士在 D1z 节点上还在用基于 ArF-i 的双重曝光,虽说部分分析师评价三星提前在这一领域布局 EUV 技术是过于激进的。这张图同时也给出了 2024 年之后的一些 DRAM 工艺节点,包括 D1d、D0a、D0b 等。

除 DRAM 外,NAND 技术也正在迎来快速发展。

当前进展为三星 176 层(V7)、铠侠 / 西数 162 层(BiCS6)、美光 176 层(2nd CTF)、SK 海力士 176 层(V7),还有长江存储的 128 层 Xtacking TLC 和 QLC 产品;另外宏旺(MXIC)也宣布了 48 层的 3D NAND 原型产品,预计今年晚些时间或 2023 年进入规模量产。

主要的一些创新型技术和设计,比如 3 层 deck 结构,CuA(CMOS-under-array,美光)、COP(Cell Over Peri,三星)、PUC(Periphery Under Cell,SK 海力士)结构技术,以及采用 H-bonding 键合的 Xtacking die。其他创新技术热点还有诸如三星 Z-NAND、铠侠 XL-NAND 这类低延迟高速 NAND 产品,也已经商用。

新型存储器方面,STT-MRAM 当前的发展很不错,参与这项技术研发的企业和机构囊括了 Everspin、GlobalFoundries、Avalanche、索尼、美光、Imec、CEA-LETI、美国应用材料、三星、富士通、IBM、台积电、Spin Transfer Technologies 等。

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