.hd-box .hd-fr

ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻机引入部分 High-NA 机型技术,晶圆吞吐量提升近 22%

2024-03-27 12:01IT之家(溯波(实习))27评

IT之家 3 月 27 日消息,据荷兰媒体 Bits&Chips 报道,ASML 官方确认新款 0.33NA EUV 光刻机 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻机的技术,运行效率得以提升。

根据IT之家之前报道,NXE:3800E 光刻机已于本月完成安装,可实现 195 片晶圆的每小时吞吐量,相较以往机型的 160 片提升近 22%

下一代光刻技术 High-NA(高数值孔径) EUV 采用了更宽的光锥,这意味着其在 EUV 反射镜上的撞击角度更宽,会导致影响晶圆吞吐量的光损失。因此 ASML 提高了光学系统的放大倍率,从而将光线入射角调整回合适大小。

但在掩膜尺寸不变的情况下,增加光学系统放大倍率本身也会因为曝光场的减少影响晶圆吞吐量。因此 ASML 仅在一个方向上将放大倍数从 4 倍提升至 8 倍,这使得曝光场仅用减小一半。

而为了进一步降低曝光时间,提升吞吐量,有必要提升光刻机载物台的运动速率。ASML 工程师就此开发了同时兼容现有 0.33NA 数值孔径系统的新款快速载物台运动系统

▲ 图源 ASML 官方

对于 NXE:3800E 而言,其光学原件同之前的 3600D 机型相同,仅是配备了更高效的 EUV 光源,所以其吞吐量收益主要来自每次曝光之间的晶圆移动加速。与 3600D 相比,3800E 的载物台移动速度提升至 2 倍,曝光步骤总时长也大约减少了一半

更快的运行速度也带来了能效的提升,ASML 的发言人表示,NXE:3800E 整体节省了约 20%~25% 的能源

广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,IT之家所有文章均包含本声明。

下载IT之家APP,分享赚金币换豪礼
相关文章
大家都在买广告
热门评论
查看更多评论