有望实现存储器无限次擦写,我国科学家开发“无疲劳铁电材料”登上 Science
06月12日0评
SK 海力士 CEO 郭鲁正:AI 存储芯片订单爆满,2025 年 HBM 产能基本售罄
05月02日0评
“鱼与熊掌兼得”,新型相变存储器问世:结合 DRAM 和 NAND 优点,生产耗电量降至常规方案的 1/15
04月25日0评
全球最新突破!液态金属存储器 FlexRAM 公布:清华大学开发,氧化还原模拟二进制
01月23日0评
读延迟缩短至 18ns,中国科学院微电子所在新型存储器领域取得重要进展
2023.07.190评
格芯宣布收购瑞萨 CBRAM 低功耗存储器技术
2023.02.100评
旺宏电子已量产 96 层 3D NAND Flash,2023 年底完成 192 层产品开发
2023.01.220评
TrendForce 集邦:供应商减产奏效,预估 2023 年第一季 NAND Flash 均价跌幅收敛至 10~15%
2023.01.070评
存储芯片持续降价,1TB 版三星 980 等存储器跌破 700 元
2022.09.260评
野村证券:存储器产业将迎来更严峻的硬着陆
2022.08.230评
大摩:下半年存储器价格将更快速下滑
2022.08.160评
宇瞻科技称 NAND Flash 市场供过于求,预计年底前都无法缓解
2022.07.300评
DDR4 跌价已逾半年,代理商做多亏多
2022.04.140评
三星在与美国存储器公司 Netlist 的专利诉讼中败诉
2022.02.180评
华中科技大学成功研制全球最低功耗相变存储器
2022.01.200评
三星存内计算技术公布:全球首搭 MRAM,铺路下一代 AI 芯片
2022.01.180评
中国研究所成功研制国际最大容量抗辐射反熔丝 PROM 存储器
2022.01.100评
“杭州芯火壹号”HX001 芯片发布,超大窗口阻变随机存储器
2021.12.210评
纳芯半导体存储器生产 SMT 段全自动生产线试投产
2021.11.220评
DRAM 为元宇宙发展不可或缺,存储业将有望受益