DRAM

南亚科 2025Q2 销售量环比增长 70+%，带动营收升至 105 亿新台币

07月14日0评

Cadence 楷登电子推出业界首款 LPDDR6/5X 14.4Gbps 内存 IP

07月10日0评

国产存储巨头长鑫科技启动上市辅导，曾估值达 1400 亿元

07月07日0评

TrendForce：2025 年三季度新旧 DRAM 世代交替，老款内存涨声一片

07月07日0评

DRAM 史上最大代际倒挂继续：DDR4 现货平均价 2.6 倍于 DDR5，部分厂商延长生产

07月05日0评

消息称三星电子完成 1c 纳米 DRAM 内存工艺开发，准备向量产转移

07月01日0评

消息称三星电子 1c 纳米 DRAM 内存良率明显提升，设计改进起到关键作用

06月24日0评

DRAM 史上最大代际倒挂：停产预期下 DDR4 现货均价两倍于 DDR5

06月24日0评

Counterpoint：预计长鑫存储今年 DRAM 内存再增产近 50%，年末市占有望达 8%

06月20日0评

SK 海力士紧抓 HBM 商机，消息称暂缓 1c DRAM 内存量产设备采购

06月16日0评

美光首席商务官确认已向多领域客户发布 DDR4 / LPDDR4 内存 EOL 通知

06月13日0评

消息称三星电子在 DRAM 内存领域率先导入干式光刻胶技术

06月11日0评

SK 海力士：4F2 VG 和 3D DRAM 技术将应用于 10nm 及以下级内存

06月10日0评

SK 海力士今年一季度首获 TrendForce 季度 DRAM 产业营收占比第一

06月03日0评

南亚科技加速布局 AI DRAM，定制内存项目有望 2026 年取得验证

06月03日0评

消息称三星电子已规划在 1d nm 传统结构内存后导入 VCT DRAM 技术

04月28日0评

含 12800MT/s MRDIMM，SK 海力士多款内存新品亮相台积电北美技术论坛

04月27日0评

HBM4 内存正式标准化，JEDEC 发布 JESD270-4 规范

04月17日0评

Counterpoint：HBM 助推 SK 海力士 2025 年 1 季度首度登顶 DRAM 市场占比

04月09日0评

消息称 SK 海力士 1c nm DRAM 内存良率约为 80%，触及量产及格线

04月08日0评