DRAM

HBM4 内存正式标准化，JEDEC 发布 JESD270-4 规范

04月17日0评

Counterpoint：HBM 助推 SK 海力士 2025 年 1 季度首度登顶 DRAM 市场占比

04月09日0评

消息称 SK 海力士 1c nm DRAM 内存良率约为 80%，触及量产及格线

04月08日0评

消息称三星电子考虑对 DRAM 内存和 NAND 闪存产品提价 3%~5%

04月07日0评

消息称 DRAM 制造商长鑫存储正考虑提高 DDR4 产品价格

04月06日0评

美光发函确认正提升内存与存储产品定价，消息称涨幅 10%~15%

03月27日0评

TrendForce：2025 年二季度一般型 DRAM 内存价格环比跌幅预计收敛至 5% 以内

03月26日0评

SK 海力士确认 1b nm 工艺 16Gb LPDDR5X-10667 内存已于 2024 年 10 月量产

03月24日0评

美光抢滩 1γ DDR5 内存：最少化 EUV 使用，加速量产尖端 DRAM

03月11日0评

TrendForce：2024 年四季度 DRAM 内存产业营收 280 亿美元，环比增长 9.9%

02月27日0评

电压再降 0.03V，SK 海力士将推高能效 LPDDR5M 内存

02月27日0评

消息称三大内存原厂可能年内停产 DDR3 / DDR4，其它业者有望获得转移订单

02月18日0评

消息称三星电子调整 1c nm DRAM 内存设计：牺牲外围密度以保障良率

02月11日0评

Omdia：预计 PC、服务器、移动 DRAM 内存价格今年前三季度累计下滑 15%

02月10日0评

集邦咨询：春节后 DDR4 内存价格持续下跌、NAND 闪存减产效果未显现

02月06日0评

三星电子否认重新设计 1b DRAM，力求提升性能和良率

01月22日0评

为应对内存良率、性能困局：消息称三星从头设计新版 1b nm DRAM

01月21日0评

消息称三星电子已将 1c nm 内存开发良率里程碑推迟半年，恐影响 HBM4

01月21日0评

消息称 SK 海力士有望 2 月启动业界最先进 1c nm 制程 DRAM 内存量产

01月17日0评

集邦咨询：库存高企需求疲软，2025Q1 NAND 平均合约价预测降 10~15%、DRAM 降 8~13%

01月01日0评