DRAM

消息称三星下代 400+ 层 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 结构

10月29日0评

面向高能效应用：铠侠、南亚联合研发新型极低漏电流 OCTRAM 内存

10月24日0评

消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒，未来将用于 HBM4 内存

10月22日0评

消息称三星 14nm 级 DRAM 拖累 HBM3E 内存认证进度，内部正考虑调整设计

10月17日0评

TrendForce：2024 年第四季度 DRAM 价格涨幅放缓，需求主要靠 AI 服务器维持

10月12日0评

消费电子旺季遇冷，消息称内存模组一哥金士顿针对部分中低端产品降价

09月29日0评

三星电子计划 2027 年推出 0a nm DDR 内存，2026 年推出 HBM4E

09月05日0评

南亚科技预计全年内存位元出货量同比增幅超两成，正规划 EUV 工艺

09月05日0评

消息称三星 1b nm 移动内存良率欠佳，影响 Galaxy S25 系列手机开发

09月04日0评

消息称三星电子、SK 海力士堆叠式移动内存 2026 年后商业化

09月03日0评

SK 海力士确认 1c nm 工艺将用于 HBM、LPDDR6、GDDR7 等 DRAM 内存产品

08月29日0评

TrendForce：消费电子需求恢复缓慢，预计下半年存储器价格将面临压力

08月29日0评

SK 海力士开发出全球首款第六代 10 纳米级 DDR5 DRAM：相比上代速度提升 11%

08月29日0评

赔偿 7.535 亿欧元，英飞凌就昔日内存巨头奇梦达破产达成最终和解

08月26日0评

TrendForce：2024 年第二季内存产业营收 229 亿美元，环比增 20.4%，同比翻倍

08月15日0评

台湾地区本月 13 日遭雷雨引发停电，DRAM 企业南亚科技损失 3~5 亿新台币

08月15日0评

消息称 SK 海力士启动 M16 晶圆厂扩产，目标将公司 DRAM 内存产能提升约 18%

08月14日0评

消息称三星电子确认平泽 P4 工厂 1c nm DRAM 内存产线投资，目标明年 6 月投运

08月12日0评

华邦电子：4Gb DDR4 / LPDDR4 已放量出货，内存工艺明年升级至 16nm

08月06日0评

TechInsights：3D、4F2 等新结构 DRAM 内存有望于 0C 节点量产

07月26日0评