美光发函确认正提升内存与存储产品定价，消息称涨幅 10%~15%
03月27日0评
TrendForce：2025 年二季度一般型 DRAM 内存价格环比跌幅预计收敛至 5% 以内
03月26日0评
SK 海力士确认 1b nm 工艺 16Gb LPDDR5X-10667 内存已于 2024 年 10 月量产
03月24日0评
美光抢滩 1γ DDR5 内存：最少化 EUV 使用，加速量产尖端 DRAM
03月11日0评
TrendForce：2024 年四季度 DRAM 内存产业营收 280 亿美元，环比增长 9.9%
02月27日0评
电压再降 0.03V，SK 海力士将推高能效 LPDDR5M 内存
消息称三大内存原厂可能年内停产 DDR3 / DDR4，其它业者有望获得转移订单
02月18日0评
消息称三星电子调整 1c nm DRAM 内存设计：牺牲外围密度以保障良率
02月11日0评
Omdia：预计 PC、服务器、移动 DRAM 内存价格今年前三季度累计下滑 15%
02月10日0评
集邦咨询：春节后 DDR4 内存价格持续下跌、NAND 闪存减产效果未显现
02月06日0评
三星电子否认重新设计 1b DRAM，力求提升性能和良率
01月22日0评
为应对内存良率、性能困局：消息称三星从头设计新版 1b nm DRAM
01月21日0评
消息称三星电子已将 1c nm 内存开发良率里程碑推迟半年，恐影响 HBM4
消息称 SK 海力士有望 2 月启动业界最先进 1c nm 制程 DRAM 内存量产
01月17日0评
集邦咨询：库存高企需求疲软，2025Q1 NAND 平均合约价预测降 10~15%、DRAM 降 8~13%
01月01日0评
鼓励多技术路线探索，消息称三星电子准备开发传统结构 1e nm DRAM 内存
2024.12.300评
TrendForce：预估一般型 DRAM 内存 2025 年一季度合约价下跌 8%~13%
南亚科技宣布同补丁科技就定制超高带宽内存开发达成战略合作
2024.12.190评
三星电子抢建 10nm 第七代 DRAM 测试线，力图重夺市场领先地位
消息称三星电子启动下代 1c nm DRAM 内存量产设备订购，明年 2 月引进
2024.12.110评
