三星电子否认重新设计 1b DRAM，力求提升性能和良率
13:590评
为应对内存良率、性能困局：消息称三星从头设计新版 1b nm DRAM
昨日 17:350评
消息称三星电子已将 1c nm 内存开发良率里程碑推迟半年，恐影响 HBM4
昨日 11:540评
消息称 SK 海力士有望 2 月启动业界最先进 1c nm 制程 DRAM 内存量产
01月17日0评
集邦咨询：库存高企需求疲软，2025Q1 NAND 平均合约价预测降 10~15%、DRAM 降 8~13%
01月01日0评
鼓励多技术路线探索，消息称三星电子准备开发传统结构 1e nm DRAM 内存
2024.12.300评
TrendForce：预估一般型 DRAM 内存 2025 年一季度合约价下跌 8%~13%
南亚科技宣布同补丁科技就定制超高带宽内存开发达成战略合作
2024.12.190评
三星电子抢建 10nm 第七代 DRAM 测试线，力图重夺市场领先地位
消息称三星电子启动下代 1c nm DRAM 内存量产设备订购，明年 2 月引进
2024.12.110评
TrendForce：第三季度 DRAM 内存产业营收 260.2 亿美元，环比增长 13.6%
2024.11.260评
TrendForce：消费性需求疲弱，2023 年 DRAM 内存模组厂营收同比下降 28%
2024.11.200评
消息称三星平泽 P4 厂一期改为混合产线：每月可产 3~4 万片 DRAM 内存晶圆
2024.11.080评
TrendForce 预测 2025 年 DRAM 产量同比增长 25%，中国厂商发力 LPDDR4x 和 DDR4 领域
2024.11.060评
消息称三星下代 400+ 层 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 结构
2024.10.290评
面向高能效应用：铠侠、南亚联合研发新型极低漏电流 OCTRAM 内存
2024.10.240评
消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒，未来将用于 HBM4 内存
2024.10.220评
消息称三星 14nm 级 DRAM 拖累 HBM3E 内存认证进度，内部正考虑调整设计
2024.10.170评
TrendForce：2024 年第四季度 DRAM 价格涨幅放缓，需求主要靠 AI 服务器维持
2024.10.120评
消费电子旺季遇冷，消息称内存模组一哥金士顿针对部分中低端产品降价
2024.09.290评
