TechInsights:3D、4F2 等新结构 DRAM 内存有望于 0C 节点量产
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TrendForce:HBM、QLC 崛起,助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成
07月22日0评
美光预计爱达荷州、纽约州新 DRAM 内存晶圆厂将于 2026 ~2029 年投运
06月28日0评
美光加速 EUV 技术攻坚,1γ DRAM 工艺目标 2025 年量产
06月27日0评
TrendForce 集邦咨询:预估三季度 DRAM 内存价格整体涨幅达 8~13%
消息称 SK 海力士五层堆叠 3D DRAM 内存良率已达 56.1%
06月24日0评
通用 DRAM 内存仍供大于求,消息称三星、SK 海力士相关产线开工率维持 80~90%
06月19日0评
提升 1b nm DRAM 产能以满足 HBM3E 内存需求,消息称 SK 海力士正升级 M16 晶圆厂
06月17日0评
TrendForce:2024 年一季度 DRAM 内存产业营收规模达 183.47 亿美元,同比涨幅近九成
06月13日0评
消息称三星电子 12nm 级 DRAM 内存良率不足五成,已就此成立专门工作组
06月11日0评
戴尔 COO 示警:下半年 DRAM 内存和固态硬盘价格季度涨幅将达约 15~20%
06月04日0评
威刚董事长陈立白:下半年 DDR4 内存有望涨价 30%
05月31日0评
南亚科技:首款 1C nm 制程 DRAM 内存产品 16Gb DDR5 明年初试产
05月30日0评
消息称 SK 海力士将在 1c DRAM 生产中采用新型 Inpria MOR 光刻胶
消息称美光将斥资至多八千亿日元,新建广岛 EUV 光刻 DRAM 内存晶圆厂
05月28日0评
美光:已基本完成 2025 年 HBM 内存供应谈判,相关订单价值数十亿美元
05月22日0评
消息称三星电子、SK 海力士目前对通用存储芯片增产持保守态度
HBM3e 今年将成主流,产能挤占将导致下半年 DRAM 供不应求
05月21日0评
SK 海力士、三星电子:整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存
05月14日0评
消息称 SK 海力士、三星电子陆续停产 DDR3 内存,带动市场价格上行
05月13日0评