TechInsights：预计 ASML High NA EUV 光刻机功耗约 1400 千瓦
11月04日0评
美国拟斥资 8.25 亿美元支持纽约州 EUV 光刻旗舰研发站点建设
11月01日0评
英特尔确认 ASML 第二台 High NA EUV 光刻机完成安装
10月09日0评
英特尔计划与日本 AIST 合作建立芯片研究中心
09月03日0评
三星被曝最快 2024 年底前开始安装首台 ASML High-NA EUV 光刻机
08月16日0评
TEL 公司推出 Acrevia 气体团簇光束系统，与应用材料竞争 EUV 图案塑形订单
08月14日0评
消息指三星电子 2nm 工艺 EUV 曝光层数增加 30% 以上，未来 SF1.4 节点有望超 30 层
07月23日0评
0.75 NA 突破芯片设计极限！Hyper-NA EUV 首现 ASML 路线图：2030 年推出，每小时产 400-500 片晶圆
06月14日0评
代工一哥直呼太贵，台积电考虑 A16 节点不用 ASML 的 High-NA EUV 设备
05月15日0评
三星电子会长李在镕访问蔡司总部，深化 EUV 光刻和先进半导体设备合作
04月29日0评
可减少昂贵 EUV 光刻使用，德国默克称 DSA 自组装技术十年内商用
02月05日0评
1c 纳米世代内存竞争：三星计划增加 EUV 使用，美光将引入钼、钌材料
02月03日0评
韩国 ESOL 今年将展示第二代 EUV 原型设备
2023.02.110评
美光 CEO：中国台湾工厂今年将导入 EUV
2022.05.250评
Counterpoint：高数值孔径 EUV 系统将成 ASML 增长新突破口
2022.02.080评
韩国公司开发首款 EUV 光刻胶通过三星可靠性测试：打破完全依赖海外供应商的局面
2021.12.210评
中科院微电子所在“极紫外 EUV 光刻基板缺陷补偿”方面取得新进展
2021.09.160评
EUV 光刻的“致命弱点”
2021.06.240评
ASML 将于今年推出透光率超 90% 的 EUV 防护膜，提高光刻机效率
2021.05.150评
SK 海力士 M16 新厂竣工，将首次使用 EUV 光刻机生产
2021.02.020评
