SK 海力士在美 HBM 生产基地奠基：2029H2 产出首款“美国造”HBM
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三星新愿景：让 HBM 不只是内存
08月24日 0评
消息称三星 HBM 基础裸片将推进 2nm 尖端工艺，延续自研 4nm HBM4 路线
08月14日 0评
消息称 SK 海力士 8 月 27 日举行美国印第安纳后端工厂奠基仪式
08月13日 0评
为应对 HBM 短缺，消息称英伟达 Rubin Ultra 测试 192GB/256GB HBM4 版本
08月11日 0评
超 400 层：三星展示业界首款 V10 BV-NAND，存储密度提高约 58%
08月05日 0评
NVIDIA 评估下调 Rubin Ultra HBM 配置，或将不限于 12Hi HBM4E
08月04日 0评
宇瞻预警：DRAM、企业级 SSD 供需失衡将至少持续到明年上半年
07月27日 0评
三星电子与韩国牙山市府签署备忘录：将在当地斥资 46 万亿韩元扩产 HBM
07月23日 0评
英伟达 Rubin Ultra 机柜预估售价 2100 万美元，单柜 HBM4e 成本超 150 万美元
07月09日 0评
HBM 之父金正浩：AI 的本质是内存，GPU 真正工作的时间只有 10%-30%
07月06日 0评
三星电子会长李在镕：公司产能已不足以满足 AI 市场需求，计划在韩国光州新建先进半导体封装工厂
06月29日 0评
消息称三星电子暂时停产 8Hi HBM3E 内存：HBM4 与 12Hi HBM3E 平分产能
06月24日 0评
AI 内存紧缺新解法：SPHBM4 标准公示，引脚数降至 1/5、每引脚速率提高 300%
06月23日 0评
用时不到 5 个月：消息称三星电子 HBM4 内存销售额业界率先突破 10 亿美元大关
三星电子举行全球战略会议：拟扩大 HBM 销售、推进长期供货协议策略
06月22日 0评
三星存储业务在美遭专利狙击：Netlist 起诉其 HBM 与 DDR5 产品侵权
消息称三星电子计划在韩国光州新建先进半导体封装工厂，强化 AI 芯片产业链布局
06月10日 0评
