消息称三星电子考虑在 HBM4 内存上采用 1c nm 制程 DRAM,提升能效竞争力
05月17日0评
SK 海力士加速 HBM4 内存量产,目标 2025 下半年推出首批产品
05月06日0评
消息称 SK 海力士 HBM4 内存基础裸片有望采用台积电 7nm 制程
04月23日0评
消息称 JEDEC 有望放宽 HBM4 高度限制,内存厂商无须被迫转向混合键合
03月12日0评
AI 芯片需求激增,HBM 内存价格暴涨 500%
02月13日0评
消息称 SK 海力士、台积电将建 AI 半导体同盟,对抗三星“交钥匙”方案威胁
02月09日0评
SK 海力士:计划在 2026 年前量产 HBM4 内存
02月04日0评
HBM4 内存正在开发中,将采用更宽的 2048 bit 接口
2023.10.150评