消息称长鑫正准备进入闪存市场，与三星、海力士、美光正面竞争
09月18日 0评
传闻 Solidigm 考虑在美国建设 NAND 晶圆厂，企业称尚未最终确定任何方案
消息称苹果与铠侠签署 NAND 长期供应协议：为期 3-5 年，或不设价格上限
09月08日 0评
韩券商 KB Securities：三星电子、SK 海力士内存库存已不足 10 天
09月07日 0评
Counterpoint 数据：NAND 价格 2026Q2 上涨 55%，长江存储营收市占维持 14%
09月04日 0评
三星电子：V10 BV-NAND 有望支持未来 PCIe Gen7 固态硬盘
09月01日 0评
TrendForce 数据：五大海外 NAND 原厂 eSSD 收入 2026Q2 环比翻倍
铠侠启动北上市 K3 制造大楼准备，新晶圆厂预计 2029 财年投运
08月28日 0评
铠侠-闪迪宣布未来 6 年在日本追加投资超 310 亿美元
08月27日 0评
消息称铠侠-闪迪计划建设北上市第三晶圆厂，项目投资额超 1 万亿日元
消息称三星电子、SK 海力士持续投资扩充在中 NAND 产能
08月26日 0评
TrendForce 预测：存储器 2027 年“吃掉”主要 CSP 超 2/3 资本支出
08月25日 0评
TrendForce：五大海外 NAND 闪存原厂 2026Q2 合计营收环比 +77%
08月18日 0评
闪迪预计 2028~2030 财年实现年均中高十位数百分比营收增长
08月14日 0评
Counterpoint 2026Q2 NAND 数据：长江存储首入全球出货容量前三，eSSD 占需求近半
08月12日 0评
SK 海力士确认 V10 NAND 闪存为 375 层堆叠，导入晶圆键合技术
08月07日 0评
SK 海力士宣布向龙仁 Y2、清州 M17 晶圆厂合计投资 54 万亿韩元
超 400 层：三星展示业界首款 V10 BV-NAND，存储密度提高约 58%
08月05日 0评
