铠侠启动北上市 K3 制造大楼准备，新晶圆厂预计 2029 财年投运
09:29 0评
铠侠-闪迪宣布未来 6 年在日本追加投资超 310 亿美元
昨日 18:48 0评
消息称铠侠-闪迪计划建设北上市第三晶圆厂，项目投资额超 1 万亿日元
昨日 08:56 0评
消息称三星电子、SK 海力士持续投资扩充在中 NAND 产能
08月26日 0评
TrendForce 预测：存储器 2027 年“吃掉”主要 CSP 超 2/3 资本支出
08月25日 0评
TrendForce：五大海外 NAND 闪存原厂 2026Q2 合计营收环比 +77%
08月18日 0评
闪迪预计 2028~2030 财年实现年均中高十位数百分比营收增长
08月14日 0评
Counterpoint 2026Q2 NAND 数据：长江存储首入全球出货容量前三，eSSD 占需求近半
08月12日 0评
SK 海力士确认 V10 NAND 闪存为 375 层堆叠，导入晶圆键合技术
08月07日 0评
SK 海力士宣布向龙仁 Y2、清州 M17 晶圆厂合计投资 54 万亿韩元
超 400 层：三星展示业界首款 V10 BV-NAND，存储密度提高约 58%
08月05日 0评
铠侠与闪迪发布第十代 332 层 QLC NAND 闪存，接口速率达 4.8Gb/s
08月04日 0评
消息称三大原厂已提前完成 2027 年 DRAM 内存产能分配
TrendForce 预测：DRAM 内存 2027 年供给持续紧缺，NAND 闪存则转趋宽松
07月30日 0评
铠侠开始送样第 9 代 BiCS FLASH 3D 闪存 1Tb TLC，采用 230 层阵列
三星电子：长期协议（LTA）可轻松占据 DRAM / NAND 产出的 60~70%
TrendForce 预测：NAND 闪存紧缺压力有望 2027H2 缓解
07月21日 0评
TrendForce：预估 2026 年下半年 SLC NAND 价格将上涨 120-170%
07月13日 0评
