Counterpoint：三星电子可望在 2025Q3 重夺全球最大存储厂商地位
10月14日0评
抢占 AI 存储市场下一风口，消息称三星电子已启动 HBF 高带宽闪存开发
10月03日0评
群联 CEO 潘健成称内存“超级周期”将至， NAND 闪存恐将短缺十年
消息称 Solidigm 推进下一代 NAND 闪存开发：250 层左右堆叠，仍为 FG 架构
10月02日0评
铠侠-闪迪北上市 K2 制造大楼投运，高管预计未来数年 NAND 需求将强劲增长
09月30日0评
三星半导体：CXL 3.1 CMM-D 内存、512TB 级 PCIe 6.0 固态硬盘明后年见
09月29日0评
集邦：受企业级 QLC 需求带动，预计 NAND 闪存合约价 2025Q4 上涨 5~10%
09月25日0评
闪迪：预计整个 2026 年 NAND 闪存市场均将面临供应不足
09月18日0评
因缺陷导致性能问题，消息称三星 V9 QLC NAND 闪存商用延至 2026 上半年
09月17日0评
NAND 闪存原厂闪迪 Sandisk 针对全部渠道通路和消费类产品涨价 10%
09月05日0评
集邦：2025Q2 NAND 闪存五巨头相关营收环比增长 22%，平均单价小幅下滑
08月28日0评
美光回应中国区业务调整：公司将在全球范围内停止未来移动 NAND 产品的开发
08月12日0评
铠侠出样 BiCS9 512Gb TLC NAND：结合 BiCS5 120 层堆叠与 3.6Gbps 高速 I/O
07月25日0评
闪迪成立 HBF 高带宽闪存技术顾问委员会，图灵奖得主与 GPU 大牛加入
SK 海力士年内供应 24Gb GDDR7，为英伟达 RTX 50 SUPER 显卡铺平道路
07月24日0评
业界最高 256Gb 容量耐辐射 SLC，美光推出首款太空认证 NAND 闪存
07月23日0评
TrendForce：预估 2025 年三季度 NAND 闪存平均合约价环比增长 5~10%
07月10日0评
消息称三星电子计划明年 3 月启动第十代 4xx 层 V-NAND 量产线建设
07月02日0评
消息称三星电子积极推动 NAND 工艺向 V9 转换，但 V10 量产节奏放缓
06月20日0评
