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SK 海力士确认 V10 NAND 闪存为 375 层堆叠，导入晶圆键合技术

昨日 18:02 0评

SK 海力士宣布向龙仁 Y2、清州 M17 晶圆厂合计投资 54 万亿韩元

昨日 15:41 0评

超 400 层：三星展示业界首款 V10 BV-NAND，存储密度提高约 58%

08月05日 0评

铠侠与闪迪发布第十代 332 层 QLC NAND 闪存，接口速率达 4.8Gb/s

08月04日 0评

消息称三大原厂已提前完成 2027 年 DRAM 内存产能分配

08月04日 0评

TrendForce 预测：DRAM 内存 2027 年供给持续紧缺，NAND 闪存则转趋宽松

07月30日 0评

铠侠开始送样第 9 代 BiCS FLASH 3D 闪存 1Tb TLC，采用 230 层阵列

07月30日 0评

三星电子：长期协议（LTA）可轻松占据 DRAM / NAND 产出的 60~70%

07月30日 0评

TrendForce 预测：NAND 闪存紧缺压力有望 2027H2 缓解

07月21日 0评

TrendForce：预估 2026 年下半年 SLC NAND 价格将上涨 120-170%

07月13日 0评

威刚预警：2026 年 Q3 内存将涨价 20%-30%，闪存将涨价 35%-40%

07月07日 0评

铠侠-闪迪 BiCS10（332 层）3D NAND 闪存进入出样阶段，首款产品为 1Tb TLC

07月03日 0评

SK 海力士官宣韩国清州 M17 NAND 晶圆厂 80 万亿韩元建设投资

07月02日 0评

消息称 SK 海力士有望时隔多年重启韩国本土 NAND 闪存晶圆厂建设

06月26日 0评

联想谈 DRAM 价格：就算未来产能大幅提升，价格可能跌不回一年前水平

06月24日 0评

冲击 1000 层：三星披露 NAND 规划，SSD 容量目标 4 倍提升

06月24日 0评

闪迪新专利：将 NAND 闪存堆叠在计算芯片下方，破解存储瓶颈

06月22日 0评

消息称 SK 海力士 V10 NAND 采用 375 层堆叠设计，2026 年内量产

06月11日 0评

消息称 SK 海力士将在大连二厂建设“200 层中段”FG NAND 产线

06月04日 0评

铠侠计划 2026 年夏天出样下代 BiCS10 1Tb TLC NAND 闪存

06月03日 0评