消息称三星电子 HBM3E 内存性能未达要求，2024 年内难以向英伟达供应
12月11日0评
消息称三星电子启动下代 1c nm DRAM 内存量产设备订购，明年 2 月引进
华硕为 AM5 主板引入“游戏核心调整配置”测试功能，微调时序降低内存延迟
12月09日0评
TrendForce：第三季度 DRAM 内存产业营收 260.2 亿美元，环比增长 13.6%
11月26日0评
瑞萨宣布率先推出 DDR5 MRDIMM 12800MT/s 完整内存接口芯片组
11月21日0评
TrendForce：消费性需求疲弱，2023 年 DRAM 内存模组厂营收同比下降 28%
11月20日0评
TrendForce：需求展望疲弱、库存和供给上升，预计 2025 年 DRAM 价格将下跌
11月18日0评
英特尔介绍 MRDIMM 内存：额外接口芯片实现近 40% 峰值带宽提升
消息称内存原厂考虑 HBM4 采用无助焊剂键合，进一步降低层间间隙
11月14日0评
瞄准 2025 年量产，消息称三星正为微软、Meta 定制 HBM4 内存
11月12日0评
消息称三星平泽 P4 厂一期改为混合产线：每月可产 3~4 万片 DRAM 内存晶圆
11月08日0评
12196 MT/s，微星、金士顿创下 DDR5 内存超频新纪录
11月05日0评
SK 海力士介绍全球首款 16-High HBM3E 内存，明年初出样
11月04日0评
三星电子准备 HBM3E 内存改进款：针对多个主要客户下代 AI GPU 优化
11月01日0评
英特尔确认未来数代处理器不会采用 Lunar Lake 同款 MoP 封装级内存方案
首发 849 元 → 今日 479 元：英睿达 Pro 系列 DDR5 6000 内存 32G 套装蹲点抢
10月31日0评
TrendForce：三大内存原厂将于 20 层堆叠 HBM5 全面应用混合键合工艺
10月30日0评
消息称三星下代 400+ 层 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 结构
10月29日0评
小米王腾：未来旗舰机应该都会取消 8GB RAM，核心是端侧 AI 大模型占用更多
10月28日0评
突破 DDR5-12000！4 位超频好手缔造佳绩，解锁内存超频里程碑
10月26日0评
