消息称三星电子因迟迟未获英伟达许可砍半 HBM3E 内存产量，避免过多积压
07月05日0评
DRAM 史上最大代际倒挂继续：DDR4 现货平均价 2.6 倍于 DDR5，部分厂商延长生产
三星电子可持续发展报告确认其加入 SOCAMM 内存模块战场
07月01日0评
SK 海力士宣称英特尔未来 AI 芯片 "Jaguar Shores" 支持 HBM4 内存
消息称三星电子完成 1c 纳米 DRAM 内存工艺开发，准备向量产转移
SK 海力士 HBM4 内存 16Hi 48GB 堆栈亮相慧与 HPE Discover 2025 活动
06月27日0评
消息称三星电子计划 7 月初向主要客户出样 HBM4 12Hi 内存，16Hi 样品八月交付
芝奇宣布 256GB（64×4）CL36 及 128GB CL32 内存全球首卖
06月24日0评
消息称三星电子 1c 纳米 DRAM 内存良率明显提升，设计改进起到关键作用
DRAM 史上最大代际倒挂：停产预期下 DDR4 现货均价两倍于 DDR5
Counterpoint：预计长鑫存储今年 DRAM 内存再增产近 50%，年末市占有望达 8%
06月20日0评
消息称三星改进版 HBM3E 8Hi 内存通过博通测试，有望打入 ASIC 供应链
06月17日0评
SK 海力士紧抓 HBM 商机，消息称暂缓 1c DRAM 内存量产设备采购
06月16日0评
AMD 确认美光、三星电子为 Instinct MI350 系列供应 HBM3E 内存
06月13日0评
从 HBM4 直到 HBM8，韩国 KAIST Teralab 介绍 HBM 内存长期路线图
美光首席商务官确认已向多领域客户发布 DDR4 / LPDDR4 内存 EOL 通知
消息称三星电子在 DRAM 内存领域率先导入干式光刻胶技术
06月11日0评
美光宣布向多个关键客户出样 HBM4 36GB 12Hi 内存
06月10日0评
消息称 I/O 翻倍影响 HBM4 DRAM Die 面积，初期 12Hi 堆栈超 600 美元
SK 海力士：4F2 VG 和 3D DRAM 技术将应用于 10nm 及以下级内存
