消息称三星电子 HBM 内存开发部门双轨化,新团队专责 HBM4 开发
05月10日0评
三星 AI 推理芯片 Mach-1 即将原型试产,有望基于 4nm 工艺
消息称三星电子已提前组建 1dnm DRAM 内存技术开发团队,目标重建优势
05月09日0评
三星 GAA 工艺高性能移动 SoC 成功生产流片,采用新思科技 EDA 套件
05月06日0评
三星电子:4nm 节点良率趋于稳定,二季度开始量产 HBM3E 12H 内存
04月30日0评
三星电子 Q1 营业利润 6.6 万亿韩元同比大增 931.87%,芯片业务扭亏为盈
三星电子会长李在镕访问蔡司总部,深化 EUV 光刻和先进半导体设备合作
04月29日0评
消息称三星电子探索逻辑芯片混合键合,最早 2026 年推出 3D 移动处理器
04月24日0评
消息称三星电子基本实现 NAND 闪存业务正常化,整体产线利用率达九成
04月22日0评
消息称三星电子在硅谷开设先进处理器实验室,聚焦 RISC-V IP 开发
04月19日0评
三星计划将 TC-NCF 用于 16 层 HBM4 内存生产,将推整体 HBM 定制服务
消息称三星电子曾考虑在美国建设先进 DRAM 内存晶圆厂,最终放弃
04月17日0评
三星推出业界最快 10.7Gbps LPDDR5X 内存,实现 32GB 单封装容量
三星电子联席 CEO 庆桂显访问多家台企,加强 AI 内存、服务器合作
04月16日0评
消息称三星电子本季度 NAND 闪存产能环比提升 30%,年内维持约 50% 规模上限
三星电子获美国至多 64 亿美元补贴,将在得克萨斯州建设 2nm 晶圆厂
04月15日0评
消息称三星并购关键人物 Ahn Joonghyun 回归,有望启动新一轮大型海外并购
消息称三星电子最快本月晚些时候量产第 9 代 V-NAND 闪存
04月12日0评
消息称三星、SK 海力士推进移动内存堆叠封装技术量产,满足端侧 AI 需求
04月09日0评
SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存量产