英伟达罕见入局内存研发：联手三星共同推进铁电 NAND 商业化
03月13日 0评
UBI Research：三星电子 2023~2025 年实现 OLED 电视出货量倍增
03月10日 0评
消息称特斯拉延迟 AI6 芯片在三星电子 2nm 节点的多项目晶圆 (MPW) 测试
三星电子：2nm 良率爬坡好于预期，泰勒晶圆厂预计年底完成首批流片
03月09日 0评
三星电子工会将举行罢工投票，威胁将不参与罢工者列入黑名单
03月08日 0评
AI 存储需求进一步增长，三星 NAND 闪存被曝 Q2 将继续涨价
03月07日 0评
三星电子再度遭遇劳资谈判破裂，OPI 绩效成分歧关键点
03月06日 0评
韩国警告：伊朗危机可能会扰乱关键芯片制造材料的供应
03月05日 0评
消息称特斯拉计划就大幅提升 AI6 芯片产能规模与三星电子磋商
03月04日 0评
消息称三星电子已在试产新一代手机 AP Exynos 2700，目标上半年完成
消息称三星电子 2026Q1 通用 DRAM 合约价环比上涨 100%
消息称三星电子 FOPLP 先进封装研发转而聚焦 415mm × 510mm 基板
消息称三星晶圆代工美国得州泰勒厂大规模量产恐延至 2027 年初
03月03日 0评
三星 MX：目标全线 Galaxy 产品用上自研 Exynos 处理器
03月02日 0评
三星电子公布工业 AI 路线图：数字孪生 + 专用机器人，到 2030 年全球制造基地将实现自主化生产
03月01日 0评
消息称三星、美光大致平分首批 Galaxy S26 系列智能手机 DRAM 内存订单
02月25日 0评
消息称三星电子将停产 2D NAND 闪存，原有产线用于 1c nm DRAM 内存制程
消息称英伟达、苹果等科技巨头在韩挖角 HBM、AI 人才，开出六位数美元年薪
02月24日 0评
消息称三星电子 1c nm 制程 DRAM 内存良率达 80%，HBM4 良率接近六成
消息称三星电子晶圆代工产能利用率回升，有望扭转长期颓势
