铠侠启动北上市 K3 制造大楼准备，新晶圆厂预计 2029 财年投运
08月28日 0评
铠侠-闪迪宣布未来 6 年在日本追加投资超 310 亿美元
08月27日 0评
TrendForce 预测：存储器 2027 年“吃掉”主要 CSP 超 2/3 资本支出
08月25日 0评
TrendForce：五大海外 NAND 闪存原厂 2026Q2 合计营收环比 +77%
08月18日 0评
闪迪预计 2028~2030 财年实现年均中高十位数百分比营收增长
08月14日 0评
Counterpoint 2026Q2 NAND 数据：长江存储首入全球出货容量前三，eSSD 占需求近半
08月12日 0评
SK 海力士确认 V10 NAND 闪存为 375 层堆叠，导入晶圆键合技术
08月07日 0评
SK 海力士宣布向龙仁 Y2、清州 M17 晶圆厂合计投资 54 万亿韩元
超 400 层：三星展示业界首款 V10 BV-NAND，存储密度提高约 58%
08月05日 0评
铠侠与闪迪发布第十代 332 层 QLC NAND 闪存，接口速率达 4.8Gb/s
08月04日 0评
消息称三大原厂已提前完成 2027 年 DRAM 内存产能分配
TrendForce 预测：DRAM 内存 2027 年供给持续紧缺，NAND 闪存则转趋宽松
07月30日 0评
铠侠开始送样第 9 代 BiCS FLASH 3D 闪存 1Tb TLC，采用 230 层阵列
三星电子：长期协议（LTA）可轻松占据 DRAM / NAND 产出的 60~70%
TrendForce 预测：NAND 闪存紧缺压力有望 2027H2 缓解
07月21日 0评
铠侠被美国法院裁定侵犯美企计算机闪存技术专利，须赔偿 2.29 亿美元
07月17日 0评
TrendForce：预估 2026 年下半年 SLC NAND 价格将上涨 120-170%
07月13日 0评
铠侠-闪迪 BiCS10（332 层）3D NAND 闪存进入出样阶段，首款产品为 1Tb TLC
07月03日 0评
SK 海力士官宣韩国清州 M17 NAND 晶圆厂 80 万亿韩元建设投资
07月02日 0评
消息称 SK 海力士有望时隔多年重启韩国本土 NAND 闪存晶圆厂建设
06月26日 0评
