AI 需求太猛，SK 海力士 DRAM 产能计划到 2026 年暴增超 8 倍
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SK 会长崔泰元：海力士龙仁集群 4 座晶圆厂总投资预计将达约 600 万亿韩元
11月17日0评
SK 启方半导体进军碳化硅晶圆代工，目标 2025 年内推出 1200V SiC 工艺技术
11月16日0评
消息称三星电子、SK 海力士目标明年上半年完成 HBM4E 研发，定制化成竞争关键
11月13日0评
海力士等三巨头齐聚 HBF 新赛道，“HBM 之父”预测英伟达将收购内存厂商
11月12日0评
SK 海力士正研发高带宽存储：16 层 DRAM 和 NAND 芯片层层堆叠，为手机 AI 性能加 buff
11月10日0评
SK 海力士公布未来存储路线图：HBM5 (E) 内存 2029~2031 年推出
11月04日0评
英伟达黄仁勋盛赞韩国存储芯片产业，建议该国加快构建 AI 基础设施
11月03日0评
固态硬盘未来可扩展至 PB 容量：SK 海力士介绍 AIN Family 产品组合
11月01日0评
打破纪录：SK 海力士 2026 年 HBM、DRAM、NAND 产能已全部售罄
10月29日0评
SK 海力士 2025 三季度营业利润达 11.38 万亿韩元同比增长 62%，创历史新高
三年翻倍：消息称 SK 海力士 2026 年底 DRAM 内存月度晶圆投片量将达 62 万
10月03日0评
（更新）SK 海力士相关人士：无法确认有关 EUV 设备投资的具体细节
09月24日0评
全球首款：SK 海力士宣布完成 HBM4 开发并准备量产
09月12日0评
消息称 SK 海力士劳资双方达成 2025 年度协议，取消绩效薪酬上限
09月04日0评
SK 海力士同意将营业利润 10% 用于奖金，三星工会敦促李在镕效仿
09月03日0评
消息称 SK 海力士撤回 DDR4 内存今年停产计划，计划提升无锡产线产能
SK 海力士宣布引进业界首款量产型 High NA EUV 设备 EXE:5200B
可提升手机散热性能，SK 海力士开始供应业界首款采用新材料的高效散热移动 DRAM
08月28日0评
