三星电子:4nm 节点良率趋于稳定,二季度开始量产 HBM3E 12H 内存
04月30日0评
台积电公布先进工艺进展:N3P 制程今年下半年量产,N3X 下半年接受投片
04月25日0评
台积电宣布背面供电版 N2 制程 2025 下半年向客户推出,2026 年量产
英特尔 High NA EUV 光刻机今年晚些时候投入研发工作,有望在三代节点沿用
04月22日0评
消息称英特尔考虑引入 DSA 技术辅助 High NA EUV 光刻,提升图案质量
04月19日0评
三星电子获美国至多 64 亿美元补贴,将在得克萨斯州建设 2nm 晶圆厂
04月15日0评
消息称台积电加快 2nm 投运进度:今年底宝山厂小规模试产,高雄厂设备进驻
04月12日0评
台积电将获美国至多 66 亿美元直接补贴,于亚利桑那州建设第三座在美晶圆厂
04月08日0评
消息称英特尔 10A 制程节点计划于 2027 年底投产
02月28日0评
分析师称受惠于先进制程涨价,台积电明年营收有望大涨 22.5%
2023.06.160评
绕开先进制程封锁!中国“小芯片”标准草案即将公示
2022.03.140评