消息称三星电子计划明年 3 月启动第十代 4xx 层 V-NAND 量产线建设
昨日 16:320评
三星晶圆代工举行 SAFE 论坛 2025 首尔场：聚焦挽回客户，引入 SF2P+ 工艺
昨日 09:310评
三星电子可持续发展报告确认其加入 SOCAMM 内存模块战场
07月01日0评
消息称三星电子完成 1c 纳米 DRAM 内存工艺开发，准备向量产转移
消息称三星 Galaxy S25 系列手机更多采用美光 LPDDR5X DRAM，自家 DS 事业部份额降至 40%
06月30日0评
消息称三星电子计划 7 月初向主要客户出样 HBM4 12Hi 内存，16Hi 样品八月交付
06月27日0评
消息称高通仍在测试三星 2nm 版骁龙 8 Elite Gen 2，同节点还有另一项目受测
06月26日0评
消息称三星电子考虑将三星显示纳入 Android XR 头显 Project Moohan 屏幕供应商
06月25日0评
消息称三星电子 1c 纳米 DRAM 内存良率明显提升，设计改进起到关键作用
06月24日0评
消息称三星紧抓 2nm 工艺：美国晶圆厂考虑明年初导入设备、资源从 1.4nm 集中
消息称三星电子积极推动 NAND 工艺向 V9 转换，但 V10 量产节奏放缓
06月20日0评
消息称三星电子完成 SF4X UCIe 原型芯片首次性能评估，带宽 24Gbps
06月18日0评
消息称三星改进版 HBM3E 8Hi 内存通过博通测试，有望打入 ASIC 供应链
06月17日0评
Cadence 与三星晶圆代工就 SF2P 等制程达成新多年期 IP 协议
AMD 确认美光、三星电子为 Instinct MI350 系列供应 HBM3E 内存
06月13日0评
消息称三星电子在 DRAM 内存领域率先导入干式光刻胶技术
06月11日0评
消息称三星电子挖走台积电前高管 Margaret Han，负责美国市场晶圆代工业务
06月03日0评
Exynos 2500 成“区域限定”：消息称仅韩版 Galaxy Z Flip7 小折叠手机搭载
05月27日0评
消息称三星电子调整 HBM 团队组织架构，押宝定制化产品
合并入 MX 或晶圆代工，消息称三星电子正权衡系统 LSI 部门未来
