SK 海力士宣称英特尔未来 AI 芯片 "Jaguar Shores" 支持 HBM4 内存
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消息称三星电子完成 1c 纳米 DRAM 内存工艺开发,准备向量产转移
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SK 海力士 HBM4 内存 16Hi 48GB 堆栈亮相慧与 HPE Discover 2025 活动
06月27日0评
消息称三星电子计划 7 月初向主要客户出样 HBM4 12Hi 内存,16Hi 样品八月交付
芝奇宣布 256GB(64×4)CL36 及 128GB CL32 内存全球首卖
06月24日0评
消息称三星电子 1c 纳米 DRAM 内存良率明显提升,设计改进起到关键作用
DRAM 史上最大代际倒挂:停产预期下 DDR4 现货均价两倍于 DDR5
Counterpoint:预计长鑫存储今年 DRAM 内存再增产近 50%,年末市占有望达 8%
06月20日0评
消息称三星改进版 HBM3E 8Hi 内存通过博通测试,有望打入 ASIC 供应链
06月17日0评
SK 海力士紧抓 HBM 商机,消息称暂缓 1c DRAM 内存量产设备采购
06月16日0评
AMD 确认美光、三星电子为 Instinct MI350 系列供应 HBM3E 内存
06月13日0评
从 HBM4 直到 HBM8,韩国 KAIST Teralab 介绍 HBM 内存长期路线图
美光首席商务官确认已向多领域客户发布 DDR4 / LPDDR4 内存 EOL 通知
消息称三星电子在 DRAM 内存领域率先导入干式光刻胶技术
06月11日0评
美光宣布向多个关键客户出样 HBM4 36GB 12Hi 内存
06月10日0评
消息称 I/O 翻倍影响 HBM4 DRAM Die 面积,初期 12Hi 堆栈超 600 美元
SK 海力士:4F2 VG 和 3D DRAM 技术将应用于 10nm 及以下级内存
制造商将重心转向 DDR5 等新技术,DDR4 内存价格不跌反涨 50%
06月07日0评
美光率先推出第六代 10nm 级 LPDDR5x DRAM 内存,速度可达 10.7Gbps
06月04日0评
SK 海力士今年一季度首获 TrendForce 季度 DRAM 产业营收占比第一
06月03日0评