Rambus 发布业界首款 HBM4 控制器 IP，最高数据传输速率 10 Gbps
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双方 HBM 合作首度公开，三星电子、台积电正携手开发无缓冲 HBM4 内存
09月06日0评
美光确认启动“生产可用”版 12 层堆叠 HBM3E 36GB 内存交付
三星电子计划 2027 年推出 0a nm DDR 内存，2026 年推出 HBM4E
09月05日0评
南亚科技预计全年内存位元出货量同比增幅超两成，正规划 EUV 工艺
三星电子：客户可自行设计 HBM 内存基础裸片并自由选择代工方
09月04日0评
SK 海力士：HBM 内存基础裸片支持定制，SSD 主控也将导入芯粒技术
消息称三星 1b nm 移动内存良率欠佳，影响 Galaxy S25 系列手机开发
消息称三星电子、SK 海力士堆叠式移动内存 2026 年后商业化
09月03日0评
SK 海力士确认 1c nm 工艺将用于 HBM、LPDDR6、GDDR7 等 DRAM 内存产品
08月29日0评
TrendForce：消费电子需求恢复缓慢，预计下半年存储器价格将面临压力
SK 海力士副总裁：存储产品在 AI 时代正从简单组件转型为解决方案
08月28日0评
环境友好型产品，十铨推出 ECO 系列 DDR5 内存条和移动固态硬盘
08月27日0评
仍基于 1b nm DRAM，消息称 SK 海力士年内先后流片英伟达、AMD 用 HBM4 内存
08月26日0评
赔偿 7.535 亿欧元，英飞凌就昔日内存巨头奇梦达破产达成最终和解
SK 海力士：美股七大科技巨头均表达定制 HBM 内存意向，将开发 20~30 倍性能产品
08月20日0评
消息称三星电子今年底启动 HBM4 内存流片，为明年底量产做准备
08月19日0评
微星介绍 CAMM2 DDR5 内存对台式电脑的优势：速度更快、延迟更低、设计更新颖
08月16日0评
TrendForce：2024 年第二季内存产业营收 229 亿美元，环比增 20.4%，同比翻倍
08月15日0评
台湾地区本月 13 日遭雷雨引发停电，DRAM 企业南亚科技损失 3~5 亿新台币
