美光下调 10% NAND 闪存产能利用率以应对市场需求放缓
12月25日0评
消息称三星电子完成 4XX 层 NAND 闪存技术开发，开始向量产线转移
12月09日0评
TrendForce：NAND 闪存产业 2024Q3 整体营收 176 亿美元，环比增长 4.8%
11月27日0评
时创意宣布 1TB 容量 UFS 3.1 嵌入式闪存芯片量产
11月21日0评
支持 4800MT/s，JEDEC 推出 NAND 闪存接口互操作性标准 JESD230G
11月20日0评
江波龙：自研 SLC NAND 闪存累计出货已突破 1 亿颗
11月15日0评
PNY 发布新 PRO Elite Prime 闪存卡和读卡器：最高 1.5TB，读取最快 200 MB/s、写入 150 MB/s
11月08日0评
消息称三星下代 400+ 层 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 结构
10月29日0评
消息称铠侠因估值分歧过大放弃原定本月 IPO：投资者欲大致砍半到 8 千亿日元
10月14日0评
QLC 企业级固态硬盘销售旺盛，消息称 Solidigm 大连厂延续 FG NAND 闪存路线并追加设备投资
09月09日0评
TrendForce：今年 Q2 NAND 闪存出货增长放缓，AI SSD 推动营收环比增长 14%
TrendForce：消费电子需求恢复缓慢，预计下半年存储器价格将面临压力
08月29日0评
复旦团队国际首次验证超快闪存集成工艺：20 纳秒超快编程、10 年非易失
08月13日0评
SK 海力士率先展示 UFS 4.1 通用闪存，基于 V9 TLC NAND 颗粒
08月09日0评
华邦推出 1Gb QspiNAND 物联网闪存：读取最高 52 MB/s，功耗可低至 1µA
08月08日0评
铠侠宣布日本岩手县北上市 K2 制造大楼完工，2025 年秋季投入运营
08月01日0评
消息指 SK 海力士加速 NAND 研发，400+ 层闪存明年末量产就绪
消息称三星电子 V9 QLC NAND 闪存尚未获量产就绪许可，影响平泽 P4 工厂规划
07月31日0评
业界最高 3.6GB/s 传输速率，美光宣布第九代 276 层 TLC NAND 闪存量产
07月30日0评
TrendForce：HBM、QLC 崛起，助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成
07月22日0评
