第四代半导体再突破，我国团队在 8 英寸硅片上制备出高质量氧化镓外延片
2023.03.140评
国内第一！中国电科 46 所成功制备 6 英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平
2023.02.270评
中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展
2022.12.120评
铭镓半导体实现 4 英寸氧化镓晶圆衬底技术突破
2022.12.090评
第四代半导体氧化镓，浙大杭州科创中心新技术路线制备 2 英寸晶圆
2022.05.070评
日本研发氧化镓制备新技术，成本猛降 99%
2022.04.250评
全球首次，日本企业成功量产 100 毫米氧化镓晶圆
2021.06.160评
