NAND 闪存过剩，消息称三星 / 铠侠 / SK 海力士 / 美光等制造商计划今年减产以稳定价格
01月23日0评
NAND 闪存过剩预计价格暴跌：消息称三星西安工厂大幅减产，SK 海力士自信增产
01月13日0评
美光下调 10% NAND 闪存产能利用率以应对市场需求放缓
2024.12.250评
消息称三星电子完成 4XX 层 NAND 闪存技术开发，开始向量产线转移
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TrendForce：NAND 闪存产业 2024Q3 整体营收 176 亿美元，环比增长 4.8%
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时创意宣布 1TB 容量 UFS 3.1 嵌入式闪存芯片量产
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支持 4800MT/s，JEDEC 推出 NAND 闪存接口互操作性标准 JESD230G
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PNY 发布新 PRO Elite Prime 闪存卡和读卡器：最高 1.5TB，读取最快 200 MB/s、写入 150 MB/s
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消息称铠侠因估值分歧过大放弃原定本月 IPO：投资者欲大致砍半到 8 千亿日元
2024.10.140评
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2024.08.010评
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消息称三星电子 V9 QLC NAND 闪存尚未获量产就绪许可，影响平泽 P4 工厂规划
2024.07.310评
