消息称三大原厂 2026 年 DRAM 内存产能约 1800 万片晶圆，增长约 5%
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Counterpoint：三星电子 2025Q4 重夺 DRAM 内存全球市占第一
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Counterpoint：预计存储 2026 年 Q1 / Q2 分别续涨 40~50% 和~20%
存储芯片价格飙升，消息称谷歌、微软等美科技巨头派团队赴韩抢购 DRAM
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1000 亿美元投资，美光纽约州克莱“最先进”DRAM 内存晶圆厂 1 月 16 日动工
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TrendForce：2026Q1 一般 DRAM 合约价环比涨 55~60%、NAND 涨 33~38%
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AI 浪潮推高存储芯片成本，分析师称未来一年消费电子或涨价两成
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消息称 SK 海力士美国首厂引入 2.5D 封装线，布局 AI 芯片的“最后的一公里”
2025.12.31 0评
内存供应危机：三星被曝优先为苹果、联想等四大 PC 巨头供货
消息称三星加速建设韩国工厂新产线：回应 DRAM 市场需求，有望提前投产
2025.12.30 0评
三星电子现已出样原生 7200 Mbps 速率 DDR5 DRAM 内存颗粒
2025.12.29 0评
华硕澄清：没有投入内存晶圆厂的计划
2025.12.26 0评
Counterpoint：2025Q3 三星 HBM 营收反超美光，整体 DRAM 收入仍略逊 SK 海力士
2025.12.19 0评
三星内部调查 DRAM“吃回扣”丑闻，供应短缺预计将持续至 2027 年
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2025.12.18 0评
美光科技 CEO：DRAM 供应短缺将持续至 2026 年后，扩产能也满足不了需求
SK 海力士 1bnm 32Gb Die 版 256GB DDR5 RDIMM 获英特尔数据中心认证
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2025.12.17 0评
三星电子目标年内完成 LPDDR6-PIM 存内计算产品开发前规格制定
Counterpoint：内存芯片短缺将导致明年全球智能手机出货量下滑 2.1%，平均售价上涨 6.9%
2025.12.16 0评
