DRAM

消息称三星电子 1c 纳米 DRAM 内存良率明显提升，设计改进起到关键作用

06月24日0评

DRAM 史上最大代际倒挂：停产预期下 DDR4 现货均价两倍于 DDR5

06月24日0评

Counterpoint：预计长鑫存储今年 DRAM 内存再增产近 50%，年末市占有望达 8%

06月20日0评

SK 海力士紧抓 HBM 商机，消息称暂缓 1c DRAM 内存量产设备采购

06月16日0评

美光首席商务官确认已向多领域客户发布 DDR4 / LPDDR4 内存 EOL 通知

06月13日0评

消息称三星电子在 DRAM 内存领域率先导入干式光刻胶技术

06月11日0评

SK 海力士：4F2 VG 和 3D DRAM 技术将应用于 10nm 及以下级内存

06月10日0评

SK 海力士今年一季度首获 TrendForce 季度 DRAM 产业营收占比第一

06月03日0评

南亚科技加速布局 AI DRAM，定制内存项目有望 2026 年取得验证

06月03日0评

消息称三星电子已规划在 1d nm 传统结构内存后导入 VCT DRAM 技术

04月28日0评

含 12800MT/s MRDIMM，SK 海力士多款内存新品亮相台积电北美技术论坛

04月27日0评

HBM4 内存正式标准化，JEDEC 发布 JESD270-4 规范

04月17日0评

Counterpoint：HBM 助推 SK 海力士 2025 年 1 季度首度登顶 DRAM 市场占比

04月09日0评

消息称 SK 海力士 1c nm DRAM 内存良率约为 80%，触及量产及格线

04月08日0评

消息称三星电子考虑对 DRAM 内存和 NAND 闪存产品提价 3%~5%

04月07日0评

消息称 DRAM 制造商长鑫存储正考虑提高 DDR4 产品价格

04月06日0评

美光发函确认正提升内存与存储产品定价，消息称涨幅 10%~15%

03月27日0评

TrendForce：2025 年二季度一般型 DRAM 内存价格环比跌幅预计收敛至 5% 以内

03月26日0评

SK 海力士确认 1b nm 工艺 16Gb LPDDR5X-10667 内存已于 2024 年 10 月量产

03月24日0评

美光抢滩 1γ DDR5 内存：最少化 EUV 使用，加速量产尖端 DRAM

03月11日0评