DRAM

消息称三大内存原厂可能年内停产 DDR3 / DDR4，其它业者有望获得转移订单

02月18日0评

消息称三星电子调整 1c nm DRAM 内存设计：牺牲外围密度以保障良率

02月11日0评

Omdia：预计 PC、服务器、移动 DRAM 内存价格今年前三季度累计下滑 15%

02月10日0评

集邦咨询：春节后 DDR4 内存价格持续下跌、NAND 闪存减产效果未显现

02月06日0评

三星电子否认重新设计 1b DRAM，力求提升性能和良率

01月22日0评

为应对内存良率、性能困局：消息称三星从头设计新版 1b nm DRAM

01月21日0评

消息称三星电子已将 1c nm 内存开发良率里程碑推迟半年，恐影响 HBM4

01月21日0评

消息称 SK 海力士有望 2 月启动业界最先进 1c nm 制程 DRAM 内存量产

01月17日0评

集邦咨询：库存高企需求疲软，2025Q1 NAND 平均合约价预测降 10~15%、DRAM 降 8~13%

01月01日0评

鼓励多技术路线探索，消息称三星电子准备开发传统结构 1e nm DRAM 内存

2024.12.300评

TrendForce：预估一般型 DRAM 内存 2025 年一季度合约价下跌 8%~13%

2024.12.300评

南亚科技宣布同补丁科技就定制超高带宽内存开发达成战略合作

2024.12.190评

三星电子抢建 10nm 第七代 DRAM 测试线，力图重夺市场领先地位

2024.12.190评

消息称三星电子启动下代 1c nm DRAM 内存量产设备订购，明年 2 月引进

2024.12.110评

TrendForce：第三季度 DRAM 内存产业营收 260.2 亿美元，环比增长 13.6%

2024.11.260评

TrendForce：消费性需求疲弱，2023 年 DRAM 内存模组厂营收同比下降 28%

2024.11.200评

消息称三星平泽 P4 厂一期改为混合产线：每月可产 3~4 万片 DRAM 内存晶圆

2024.11.080评

TrendForce 预测 2025 年 DRAM 产量同比增长 25%，中国厂商发力 LPDDR4x 和 DDR4 领域

2024.11.060评

消息称三星下代 400+ 层 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 结构

2024.10.290评

面向高能效应用：铠侠、南亚联合研发新型极低漏电流 OCTRAM 内存

2024.10.240评