美光新加坡 HBM 内存先进封装工厂动工，2026 年投运
01月08日0评
消息称 SK 海力士加速准备 16Hi HBM3E 量产，已启动全面生产测试
2024.12.250评
SK 海力士被曝赢得博通 HBM 订单，预计明年 1b DRAM 月产能将扩大到 16~17 万片
2024.12.200评
消息称三星电子 HBM3E 内存性能未达要求，2024 年内难以向英伟达供应
2024.12.110评
Marvell 推出定制 HBM 计算架构：XPU 同 HBM 间 I/O 接口更小更强
消息称内存原厂考虑 HBM4 采用无助焊剂键合，进一步降低层间间隙
2024.11.140评
三星电子计划于韩国天安市新建封装工厂，扩容 HBM 内存等后端产能
2024.11.120评
三星电子准备 HBM3E 内存改进款：针对多个主要客户下代 AI GPU 优化
2024.11.010评
TrendForce：三大内存原厂将于 20 层堆叠 HBM5 全面应用混合键合工艺
2024.10.300评
消息称三星电子因向大客户英伟达供应延迟调减 HBM 内存产能规划
2024.10.100评
创意电子：3nm HBM3E 内存控制器与 PHY IP 获云服务提供商数据中心应用
2024.09.240评
消息称 SK 海力士专注先进 HBM 内存量产，利川 M10F 改为 HBM3E 产线
2024.09.120评
双方 HBM 合作首度公开，三星电子、台积电正携手开发无缓冲 HBM4 内存
2024.09.060评
三星电子计划 2027 年推出 0a nm DDR 内存，2026 年推出 HBM4E
2024.09.050评
三星电子：客户可自行设计 HBM 内存基础裸片并自由选择代工方
2024.09.040评
SK 海力士：HBM 内存基础裸片支持定制，SSD 主控也将导入芯粒技术
SK 海力士副总裁：存储产品控制器 2~3 年后将导入 Chiplet 技术
2024.08.270评
积极扩产 HBM 内存与先进封装，消息称美光有意购入友达闲置工厂
2024.08.260评
SK 海力士：美股七大科技巨头均表达定制 HBM 内存意向，将开发 20~30 倍性能产品
2024.08.200评
SK 海力士已向谷歌 Waymo 独家供应车规级 HBM2E 内存
2024.08.150评
