消息称内存原厂考虑 HBM4 采用无助焊剂键合，进一步降低层间间隙
11月14日0评
三星电子计划于韩国天安市新建封装工厂，扩容 HBM 内存等后端产能
11月12日0评
三星电子准备 HBM3E 内存改进款：针对多个主要客户下代 AI GPU 优化
11月01日0评
TrendForce：三大内存原厂将于 20 层堆叠 HBM5 全面应用混合键合工艺
10月30日0评
消息称三星电子因向大客户英伟达供应延迟调减 HBM 内存产能规划
10月10日0评
创意电子：3nm HBM3E 内存控制器与 PHY IP 获云服务提供商数据中心应用
09月24日0评
消息称 SK 海力士专注先进 HBM 内存量产，利川 M10F 改为 HBM3E 产线
09月12日0评
双方 HBM 合作首度公开，三星电子、台积电正携手开发无缓冲 HBM4 内存
09月06日0评
三星电子计划 2027 年推出 0a nm DDR 内存，2026 年推出 HBM4E
09月05日0评
三星电子：客户可自行设计 HBM 内存基础裸片并自由选择代工方
09月04日0评
SK 海力士：HBM 内存基础裸片支持定制，SSD 主控也将导入芯粒技术
SK 海力士副总裁：存储产品控制器 2~3 年后将导入 Chiplet 技术
08月27日0评
积极扩产 HBM 内存与先进封装，消息称美光有意购入友达闲置工厂
08月26日0评
SK 海力士：美股七大科技巨头均表达定制 HBM 内存意向，将开发 20~30 倍性能产品
08月20日0评
SK 海力士已向谷歌 Waymo 独家供应车规级 HBM2E 内存
08月15日0评
NEO Semiconductor 发布 HBM 内存技术 3D X-AI ，宣称 AI 处理能力可达现有方案百倍
08月06日0评
三星计划 2024Q3 量产 8 层 HBM3E 产品，其份额 Q4 将达到 60%
08月01日0评
TrendForce：HBM、QLC 崛起，助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成
07月22日0评
下探 AI GPU 价格，“硅仙人”Jim Keller 谈未来设计：舍弃 HBM 是关键
07月17日0评
消息称 SK 海力士考虑进军 2.5D 先进封装硅中介层，提升 HBM 内存整体竞争力
