报道称三星于华城 17 号产线量产 HBM3 内存，平泽 P4 产线全部转向 DRAM 生产以弥补供应短缺
07月21日0评
JEDEC 公布 HBM3 内存标准：带宽最高 819 GB/s，最多 16 层堆叠 64GB
2022.01.280评
SK 海力士将展现更快的 12 层 HBM3 内存，三星预热新 GDDR6 芯片
2022.01.190评
SK 海力士率先开发出 HBM3 DRAM 内存：单片最高 24GB，819 GB/s 带宽
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