消息称三星电子 HBM4 内存逻辑芯片进展较佳但 DRAM 芯片面临困境
04月18日0评
HBM4 内存正式标准化，JEDEC 发布 JESD270-4 规范
04月17日0评
GUC 创意电子宣布全球首款 HBM4 IP 成功流片，采用台积电最先进 N3P 制程
04月02日0评
SK 海力士宣布全球率先向客户提供 12 层（12Hi）HBM4 内存样品
03月19日0评
突破 70%！消息称 SK 海力士 HBM4 测试良率再创新高，量产指日可待
02月27日0评
消息称三星电子已将 1c nm 内存开发良率里程碑推迟半年，恐影响 HBM4
01月21日0评
瞄准 2025 年量产，消息称三星正为微软、Meta 定制 HBM4 内存
2024.11.120评
英伟达要求 SK 海力士提前 6 个月供应 HBM4 芯片
2024.11.040评
消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒，未来将用于 HBM4 内存
2024.10.220评
Rambus 发布业界首款 HBM4 控制器 IP，最高数据传输速率 10 Gbps
2024.09.100评
仍基于 1b nm DRAM，消息称 SK 海力士年内先后流片英伟达、AMD 用 HBM4 内存
2024.08.260评
消息称三星电子今年底启动 HBM4 内存流片，为明年底量产做准备
2024.08.190评
消息称 SK 海力士 HBM4 内存使用台积电 N5 版基础裸片
2024.07.170评
消息称三星电子以自家 4nm 先进工艺打造 HBM4 内存逻辑芯片
2024.07.160评
HBM4 内存标准即将定稿：堆栈通道数较 HBM3 翻倍，初步同意最高 6.4 Gbps 速度
2024.07.110评
三星电子：计划在 HBM4 世代为客户开发多样化定制 HBM 内存
2024.07.100评
消息称三星电子考虑在 HBM4 内存上采用 1c nm 制程 DRAM，提升能效竞争力
2024.05.170评
SK 海力士加速 HBM4 内存量产，目标 2025 下半年推出首批产品
2024.05.060评
消息称 SK 海力士 HBM4 内存基础裸片有望采用台积电 7nm 制程
2024.04.230评
