消息称三星 HBM4E 良率突破 70%，第七代 AI 内存开发进入稳定阶段
07月01日 0评
面向 AI 的下一代超高性能 DRAM，SK 海力士已向主要客户供应 12 层 HBM4E 样品
06月18日 0评
继三星之后，消息称 SK 海力士准备向主要客户提供 HBM4E 样品、最早本月发货
06月14日 0评
SK 海力士展出 12 层堆叠 48GB HBM4E 内存，引脚速率 16Gbps
06月03日 0评
三星电子市值首度突破 2000 万亿韩元，创韩国企业新纪录
06月01日 0评
三星电子交付业界首批 HBM4E 内存样品
05月29日 0评
消息称三星电子计划 5 月生产首批 HBM4E 内存性能样品
04月16日 0评
HBM4E 竞赛升级：SK 海力士被曝拟引入台积电 3nm 工艺反超三星，争夺 AI 内存性能主导权
03月22日 0评
曝三星加快研发 HBM4E 芯片，基础裸片有望采用 2nm 制程
03月13日 0评
Rambus 推出 HBM4E 内存控制器 IP：单引脚 16Gbps，单堆栈 4.1TB/s
03月05日 0评
台积电展望定制版 HBM4E 内存：N3P 制程基础裸片集成内存控制器
2025.11.28 0评
消息称三星电子、SK 海力士目标明年上半年完成 HBM4E 研发，定制化成竞争关键
2025.11.13 0评
3.25TB/s 带宽！三星加速 HBM4E 研发，单引脚速度 13Gbps、2027 年量产
2025.10.15 0评
美光 HBM4 / HBM4E 内存分别采用内部和台积电工艺基础逻辑裸片
2025.09.24 0评
美光首席商务官：HBM4E 时代定制 HBM 内存落地，推动形成“特供”格局
2025.08.12 0评
三星电子公布 HBM4E 内存规划：单堆栈可达 64GB，带宽较 HBM4 再提升 25%
2025.02.24 0评
消息称三星电子已启动 4nm 制程 HBM4 逻辑芯片试生产
2025.01.03 0评
SK 海力士宣布最早 2026 年推出 HBM4E 内存，带宽为上代 1.4 倍
2024.05.14 0评
