HBM4E 竞赛升级：SK 海力士被曝拟引入台积电 3nm 工艺反超三星，争夺 AI 内存性能主导权
昨日 08:16 0评
曝三星加快研发 HBM4E 芯片，基础裸片有望采用 2nm 制程
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Rambus 推出 HBM4E 内存控制器 IP：单引脚 16Gbps，单堆栈 4.1TB/s
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2025.11.28 0评
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2025.11.13 0评
3.25TB/s 带宽！三星加速 HBM4E 研发，单引脚速度 13Gbps、2027 年量产
2025.10.15 0评
美光 HBM4 / HBM4E 内存分别采用内部和台积电工艺基础逻辑裸片
2025.09.24 0评
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2025.08.12 0评
三星电子公布 HBM4E 内存规划：单堆栈可达 64GB，带宽较 HBM4 再提升 25%
2025.02.24 0评
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2025.01.03 0评
SK 海力士宣布最早 2026 年推出 HBM4E 内存，带宽为上代 1.4 倍
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