4.8 Gb/s、332 层堆叠！铠侠携手闪迪革新 3D 闪存技术，性能功耗双突破
02月20日0评
美光首席财务官 Mark Murphy：12Hi HBM3E 内存即将放量
02月18日0评
TrendForce 预测：2025 全年 NAND 闪存价格将呈 V 型走势
02月17日0评
7W 低功耗 PCIe 5.0 SSD 二季度推出，闪迪公布三款本年度 BiCS 8 固态硬盘
02月13日0评
闪迪预计闪存市场很快升温：供需交叉将于上半年到来
02月14日0评
消息称三星电子推动西安工厂闪存工艺进一步升级：年内建成 V9 NAND 产线
消息称三星、SK 海力士“自然减少”NAND 产量，应对供应过剩问题
02月11日0评
集邦咨询：春节后 DDR4 内存价格持续下跌、NAND 闪存减产效果未显现
02月06日0评
NAND 闪存过剩，消息称三星 / 铠侠 / SK 海力士 / 美光等制造商计划今年减产以稳定价格
01月23日0评
NAND 闪存过剩预计价格暴跌：消息称三星西安工厂大幅减产，SK 海力士自信增产
01月13日0评
集邦咨询：库存高企需求疲软，2025Q1 NAND 平均合约价预测降 10~15%、DRAM 降 8~13%
01月01日0评
美光下调 10% NAND 闪存产能利用率以应对市场需求放缓
2024.12.250评
消息称三星电子完成 4XX 层 NAND 闪存技术开发，开始向量产线转移
2024.12.090评
TrendForce：NAND 闪存产业 2024Q3 整体营收 176 亿美元，环比增长 4.8%
2024.11.270评
TrendForce：第三季度 DRAM 内存产业营收 260.2 亿美元，环比增长 13.6%
2024.11.260评
三星 3D NAND 量产提效：光刻胶用量减半，每年节省数十亿韩元
SK 海力士宣布量产全球最高的 321 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存，计划 2025 上半年对外出货
2024.11.210评
支持 4800MT/s，JEDEC 推出 NAND 闪存接口互操作性标准 JESD230G
2024.11.200评
江波龙：自研 SLC NAND 闪存累计出货已突破 1 亿颗
2024.11.150评
消息称三星下代 400+ 层 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 结构
2024.10.290评
