双方 HBM 合作首度公开,三星电子、台积电正携手开发无缓冲 HBM4 内存
09月06日0评
三星电子计划 2027 年推出 0a nm DDR 内存,2026 年推出 HBM4E
09月05日0评
三星电子:客户可自行设计 HBM 内存基础裸片并自由选择代工方
09月04日0评
SK 海力士:HBM 内存基础裸片支持定制,SSD 主控也将导入芯粒技术
SK 海力士副总裁:存储产品控制器 2~3 年后将导入 Chiplet 技术
08月27日0评
积极扩产 HBM 内存与先进封装,消息称美光有意购入友达闲置工厂
08月26日0评
SK 海力士:美股七大科技巨头均表达定制 HBM 内存意向,将开发 20~30 倍性能产品
08月20日0评
SK 海力士已向谷歌 Waymo 独家供应车规级 HBM2E 内存
08月15日0评
NEO Semiconductor 发布 HBM 内存技术 3D X-AI ,宣称 AI 处理能力可达现有方案百倍
08月06日0评
三星计划 2024Q3 量产 8 层 HBM3E 产品,其份额 Q4 将达到 60%
08月01日0评
TrendForce:HBM、QLC 崛起,助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成
07月22日0评
下探 AI GPU 价格,“硅仙人”Jim Keller 谈未来设计:舍弃 HBM 是关键
07月17日0评
消息称 SK 海力士考虑进军 2.5D 先进封装硅中介层,提升 HBM 内存整体竞争力
三星被曝 2024Q3 向英伟达出货 HBM3e 芯片,转移 20-30% 产能将推高 DDR5 内存售价
07月16日0评
英伟达、台积电和 SK 海力士深化三角联盟:HBM4 内存 2026 年量产、功耗比原目标降低 20%
07月13日0评
消息称美光 6 月遭遇 HBM3E 内存封装缺陷,影响向英伟达 H200 供货
07月12日0评
同比增长 105%,报告称 HBM 芯片明年月产能突破 54 万颗
07月10日0评
三星电子:计划在 HBM4 世代为客户开发多样化定制 HBM 内存
消息称三星电子再度重组 HBM 内存团队,调整先进封装组织结构
07月08日0评
SK 海力士:HBM 内存复合年增长率高达 70%,未来低价后有望进入消费级设备
07月05日0评