瞄准 2025 年量产，消息称三星正为微软、Meta 定制 HBM4 内存
11月12日0评
英伟达要求 SK 海力士提前 6 个月供应 HBM4 芯片
11月04日0评
消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒，未来将用于 HBM4 内存
10月22日0评
Rambus 发布业界首款 HBM4 控制器 IP，最高数据传输速率 10 Gbps
09月10日0评
仍基于 1b nm DRAM，消息称 SK 海力士年内先后流片英伟达、AMD 用 HBM4 内存
08月26日0评
消息称三星电子今年底启动 HBM4 内存流片，为明年底量产做准备
08月19日0评
消息称 SK 海力士 HBM4 内存使用台积电 N5 版基础裸片
07月17日0评
消息称三星电子以自家 4nm 先进工艺打造 HBM4 内存逻辑芯片
07月16日0评
HBM4 内存标准即将定稿：堆栈通道数较 HBM3 翻倍，初步同意最高 6.4 Gbps 速度
07月11日0评
三星电子：计划在 HBM4 世代为客户开发多样化定制 HBM 内存
07月10日0评
消息称三星电子考虑在 HBM4 内存上采用 1c nm 制程 DRAM，提升能效竞争力
05月17日0评
SK 海力士加速 HBM4 内存量产，目标 2025 下半年推出首批产品
05月06日0评
消息称 SK 海力士 HBM4 内存基础裸片有望采用台积电 7nm 制程
04月23日0评
消息称 JEDEC 有望放宽 HBM4 高度限制，内存厂商无须被迫转向混合键合
03月12日0评
AI 芯片需求激增，HBM 内存价格暴涨 500%
02月13日0评
消息称 SK 海力士、台积电将建 AI 半导体同盟，对抗三星“交钥匙”方案威胁
02月09日0评
SK 海力士：计划在 2026 年前量产 HBM4 内存
02月04日0评
HBM4 内存正在开发中，将采用更宽的 2048 bit 接口
2023.10.150评
