消息称三星下代 400+ 层 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 结构
10月29日0评
消息称铠侠因估值分歧过大放弃原定本月 IPO：投资者欲大致砍半到 8 千亿日元
10月14日0评
QLC 企业级固态硬盘销售旺盛，消息称 Solidigm 大连厂延续 FG NAND 闪存路线并追加设备投资
09月09日0评
TrendForce：今年 Q2 NAND 闪存出货增长放缓，AI SSD 推动营收环比增长 14%
TrendForce：消费电子需求恢复缓慢，预计下半年存储器价格将面临压力
08月29日0评
SK 海力士率先展示 UFS 4.1 通用闪存，基于 V9 TLC NAND 颗粒
08月09日0评
铠侠宣布日本岩手县北上市 K2 制造大楼完工，2025 年秋季投入运营
08月01日0评
为 1000 层 NAND 闪存制造铺平道路，泛林推出新一代低温介质蚀刻技术 Lam Cyro 3.0
消息指 SK 海力士加速 NAND 研发，400+ 层闪存明年末量产就绪
消息称三星电子 V9 QLC NAND 闪存尚未获量产就绪许可，影响平泽 P4 工厂规划
07月31日0评
业界最高 3.6GB/s 传输速率，美光宣布第九代 276 层 TLC NAND 闪存量产
07月30日0评
苹果迎接 AI 浪潮，酝酿为 iPhone 改用 QLC NAND：存储上限至 2TB
07月25日0评
TrendForce：HBM、QLC 崛起，助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成
07月22日0评
消息称铠侠 7 月内启动 1Tb 版 218 层 BiCS8 3D NAND 闪存量产
07月04日0评
业内最高容量，铠侠 2Tb QLC 闪存样品出货：位密度较第五代提高 2.3 倍
07月03日0评
业内同等容量最小芯片尺寸，至讯创新 512Mb 工业级 NAND 闪存量产
三星第 9 代 V-NAND 金属布线量产工艺被曝首次使用钼技术
TrendForce：预估三季度 NAND 闪存产品合约价涨幅收窄至 5~10%
06月28日0评
消息称三星 DRAM 及 NAND 计划 Q3 涨价 15-20%
06月26日0评
消息称铠侠为期 20 月 NAND 闪存减产结束，现有工厂开工率均已恢复至 100%
06月17日0评
